Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IPB019N08N3GATMA1

Single N-Channel 80 V 1.9 mOhm 155 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK-7

Цена от 300,58 ₽ до 3 775,69 ₽

Наличие Infineon IPB019N08N3GATMA1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 3
В наличии до 16025 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 313,95 ₽ до 3 775,69 ₽
Германия
На складе 16025 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 06:01 04.03.2021
391,40 ₽ от 1000 шт.
369,27 ₽ от 2000 шт.
347,14 ₽ от 3000 шт.
313,95 ₽ от 4000 шт.
Британия
На складе 345 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
3 775,69 ₽ от 1 шт.
3 215,56 ₽ от 10 шт.
2 565,54 ₽ от 100 шт.
2 288,93 ₽ от 500 шт.
1 950,08 ₽ от 1000 шт.
Европейский союз
На складе 50 шт.
Обновлено 17:17 27.02.2021
Цена по запросу.
Азия 5
В наличии до 1000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 375,40 ₽ до 872,32 ₽
Япония
На складе 512 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:23 03.03.2021
Упаковка Cut Tape
534,06 ₽ от 1 шт.
493,90 ₽ от 10 шт.
423,55 ₽ от 50 шт.
407,56 ₽ от 200 шт.
375,40 ₽ от 500 шт.
Китай
На складе 26 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
662,67 ₽ от 1 шт.
567,95 ₽ от 10 шт.
398,62 ₽ от 25 шт.
Сингапур
На складе 345 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
872,32 ₽ от 1 шт.
741,56 ₽ от 10 шт.
591,72 ₽ от 100 шт.
526,83 ₽ от 500 шт.
449,52 ₽ от 1000 шт.
444,75 ₽ от 2000 шт.
Китай
На складе 900 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
674,43 ₽ от 10 шт.
556,50 ₽ от 23 шт.
539,60 ₽ от 40 шт.
522,69 ₽ от 50 шт.
505,92 ₽ от 65 шт.
455,34 ₽ от 85 шт.
Япония
На складе 1000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
815,03 ₽ от 1 шт.
683,41 ₽ от 10 шт.
604,51 ₽ от 50 шт.
572,03 ₽ от 100 шт.
542,90 ₽ от 500 шт.
536,40 ₽ от 1000 шт.
Америка 12
В наличии до 12881 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 300,58 ₽ до 1 479,12 ₽
США
На складе 1637 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel
590,11 ₽ от 1 шт.
501,70 ₽ от 10 шт.
501,70 ₽ от 50 шт.
401,14 ₽ от 100 шт.
305,00 ₽ от 1000 шт.
300,58 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 716 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel
590,11 ₽ от 1 шт.
501,70 ₽ от 10 шт.
501,70 ₽ от 50 шт.
401,14 ₽ от 100 шт.
305,00 ₽ от 1000 шт.
305,00 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 12000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tape & Reel
335,73 ₽ от 1000 шт.
323,03 ₽ от 2000 шт.
США
На складе 26 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
575,19 ₽ от 3 шт.
492,97 ₽ от 10 шт.
346,00 ₽ от 25 шт.
США
На складе 26 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
598,20 ₽ от 1 шт.
512,69 ₽ от 10 шт.
359,84 ₽ от 25 шт.
США
На складе 12881 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
649,78 ₽ от 1 шт.
545,24 ₽ от 10 шт.
514,61 ₽ от 25 шт.
441,11 ₽ от 100 шт.
392,10 ₽ от 500 шт.
США
На складе 512 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
581,90 ₽ от 5 шт.
536,82 ₽ от 10 шт.
460,73 ₽ от 50 шт.
443,83 ₽ от 200 шт.
408,60 ₽ от 500 шт.
США
На складе 345 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
705,66 ₽ от 1 шт.
634,40 ₽ от 10 шт.
599,92 ₽ от 25 шт.
539,01 ₽ от 50 шт.
479,25 ₽ от 100 шт.
США
На складе 1000 шт.
MOQ 12 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
746,58 ₽ от 12 шт.
714,50 ₽ от 25 шт.
687,28 ₽ от 50 шт.
663,96 ₽ от 100 шт.
643,82 ₽ от 250 шт.
626,30 ₽ от 500 шт.
610,98 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 800 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
1 479,12 ₽ от 1 шт.
1 232,60 ₽ от 2 шт.
1 084,69 ₽ от 3 шт.
986,08 ₽ от 9 шт.
912,12 ₽ от 30 шт.
813,51 ₽ от 127 шт.
739,56 ₽ от 284 шт.
США
На складе 361 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 792 шт.
Обновлено 22:39 02.03.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IPB019N08N3GATMA1, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
7
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • Single N-Channel 80 V 1.9 mOhm 155 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK-7
  • Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
  • MOSFET, N CH, 180A, 80V, PG-TO263-7
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:180A
  • Drain Source Voltage Vds:80V
  • On Resistance Rds(on):1.6mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
  • Transistor Case Style:TO-263
  • No. of Pins:7
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:180A
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Тип транзистора: силовой MOSFET
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). | Summary of Features: Optimized technology for DC-DC converters
  • Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)
  • Superior thermal resistance
  • Dual sided cooling
  • Low parasitic inductance
  • Low profile (<0,7mm)
  • N-channel, normal level
  • 100% avalanche tested
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant | Target Applications: Solar
  • Потребитель
  • Телеком
  • Сервер
  • Мощность ПК
  • DC-DC
  • ПЕРЕМЕННЫЙ ТОК
  • Адаптер
  • SMPS
  • СВЕТОДИОД
  • Motor control

Документы по Infineon IPB019N08N3GATMA1, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon IPB019N08N3GATMA1, сравнение характеристик.