Наличие Infineon IPB025N08N3GATMA1 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 1628 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 661,10 ₽ до 2 413,40 ₽
На складе 44 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 1628 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
На складе 10 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 9407 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 215,54 ₽ до 497,28 ₽
На складе 990 шт.
MOQ 162 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
На складе 20 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
На складе 1888 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 9000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 105 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 105 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 9407 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 944 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 710 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2167 шт.
Обновлено 14:32 04.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 944 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 287,10 ₽ до 583,13 ₽
На складе 944 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:23 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 105 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
На складе 267 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
Технические характеристики Infineon IPB025N08N3GATMA1, атрибуты и параметры.
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
- Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
- Single N-Channel 80 V 2.5 mOhm 155 nC OptiMOS Power Mosfet - D2PAK
- MOSFET, N CH, 120A, 80V, PG-TO263-3
- Transistor Polarity:N Channel
- Идентификатор постоянного тока утечки: 120 А
- Drain Source Voltage Vds:80V
- On Resistance Rds(on):2mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V
- Power Dissipation Pd:300W
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
- Transistor Case Style:TO-263
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Current Id Max:120A
- Power Dissipation Pd:300W
- Тип транзистора: силовой MOSFET
- Максимальное напряжение Vgs: 20 В
- OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). | Summary of Features: Optimized technology for DC-DC converters
- Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile (<0,7mm)
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Pb-free plating
- RoHS compliant | Target Applications: Solar
- Потребитель
- Телеком
- Сервер
- Мощность ПК
- DC-DC
- ПЕРЕМЕННЫЙ ТОК
- Адаптер
- SMPS
- СВЕТОДИОД
- Motor control
Документы по Infineon IPB025N08N3GATMA1, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Infineon IPB025N08N3GATMA1, сравнение характеристик.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 7.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.