Наличие Infineon IRF7379TRPBF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 20328 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 30,36 ₽ до 98,07 ₽
На складе 4000 шт.
MOQ 1079 шт.
Обновлено 03:51 26.01.2021
На складе 903 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:16 25.01.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 4000 шт.
Обновлено 09:58 26.01.2021
На складе 20328 шт.
Обновлено 18:59 26.01.2021
Цена по запросу.
В наличии до 70 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 476,89 ₽ до 600,74 ₽
На складе 70 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 26.01.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) В наличии до 8000 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 41,07 ₽ до 104,62 ₽
На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 16:51 26.01.2021
На складе 70 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:49 26.01.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 150 шт.
Обновлено 15:59 12.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Infineon IRF7379TRPBF, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
5.80 A
Continuous Drain Current (Ids):
5.80 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Roll, Reel
Part Family:
IRF7379
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
- Серия IRF7379, 30 В, 0,045 Ом, силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N- и P-каналом - SOIC-8
- 30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
- МОП-транзистор
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность транзистора: двойной канал N / P
- Напряжение истока стока, Vds: 30V
- Постоянный ток утечки, Id: 5,8 А
- На сопротивление, Rds (вкл.): 45 МОм
- Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
- Package/Case:SO-8
- Соответствует RoHS: Да
Документы по Infineon IRF7379TRPBF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Infineon IRF7379TRPBF, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7341.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 3.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7343.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -11.0 A.
Прямое напряжение -1.20 V.
Continuous Drain Current (Ids) -11.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Roll, Reel.
Part Family IRF7424.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 13.5 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 23.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 6.60 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7317.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7309.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 20.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 20.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 155 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7832.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.3 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 13.6 A.
Continuous Drain Current (Ids) 13.6 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 155 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7821.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 2.70 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 13.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 13.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7413Z.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.30 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V (min).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 6.50 A.
Continuous Drain Current (Ids) 6.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7313.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 23.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.90 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -4.90 A.
Continuous Drain Current (Ids) 6.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7319.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) -5.30 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape, Bulk.
Part Family IRF7204.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 26.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.