Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IRGS4B60KD1PBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Цена от 82,74 ₽ до 1 354,49 ₽

Наличие Infineon IRGS4B60KD1PBF на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Farnell
На складе 319 шт.
MOQ 600 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
1 354,49 ₽ от 600 шт.
1 125,27 ₽ от 1000 шт.
1 007,18 ₽ от 2500 шт.
930,78 ₽ от 5000 шт.
ComS.I.T. Europe - USA - Asia
На складе 16000 шт.
Обновлено 12:07 15.02.2021
Цена по запросу.
Rochester Electronics
На складе 100 шт.
Обновлено 09:47 17.02.2021
89,93 ₽ от 1 шт.
88,13 ₽ от 25 шт.
86,34 ₽ от 100 шт.
84,54 ₽ от 500 шт.
82,74 ₽ от 1000 шт.
Newark
На складе 319 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:05 17.02.2021
122,10 ₽ от 1 шт.
122,10 ₽ от 10 шт.
122,10 ₽ от 100 шт.
122,10 ₽ от 500 шт.
122,10 ₽ от 1000 шт.
122,10 ₽ от 2500 шт.
iodParts
На складе 1000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
151,27 ₽ от 500 шт.
127,17 ₽ от 800 шт.
Verical
На складе 209 шт.
MOQ 7 шт.
Обновлено 17:51 17.02.2021
133,67 ₽ от 7 шт.
132,42 ₽ от 10 шт.
131,18 ₽ от 100 шт.
129,92 ₽ от 500 шт.
128,67 ₽ от 1000 шт.
127,42 ₽ от 2500 шт.
Arrow Electronics
На складе 209 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:30 17.02.2021
139,01 ₽ от 1 шт.
137,71 ₽ от 10 шт.
136,42 ₽ от 100 шт.
135,12 ₽ от 500 шт.
133,82 ₽ от 1000 шт.
132,52 ₽ от 2500 шт.
Verical
На складе 319 шт.
MOQ 48 шт.
Обновлено 17:51 17.02.2021
143,18 ₽ от 48 шт.
Avnet
На складе 100 шт.
MOQ 432 шт.
Обновлено 02:51 17.02.2021
Цена по запросу.
Hamilton Americas
На складе 105 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
Arrow.cn
На складе 209 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:49 17.02.2021
154,06 ₽ от 1 шт.
152,62 ₽ от 10 шт.
151,19 ₽ от 100 шт.
149,75 ₽ от 500 шт.
148,31 ₽ от 1000 шт.
146,87 ₽ от 2500 шт.
element14 APAC
На складе 319 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
272,19 ₽ от 1 шт.
240,56 ₽ от 10 шт.
225,23 ₽ от 100 шт.
220,44 ₽ от 500 шт.
206,06 ₽ от 1000 шт.
Star River Electronics
На складе 2261 шт.
Обновлено 16:13 06.02.2021
236,92 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики Infineon IRGS4B60KD1PBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
11.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRGS4B60KD1
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
63.0 W
Время нарастания:
18.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
  • 600V Low-Vceon Non Punch Through Copack IGBT in a D2-Pak package
  • IGBT
  • Тип транзистора: IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Collector Current, Ic:11A
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.50V
  • Power Dissipation, Pd:63W
  • Package/Case:D2-PAK
  • C-E Breakdown Voltage:600V
  • Соответствует RoHS: Да

Документы по Infineon IRGS4B60KD1PBF, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon IRGS4B60KD1PBF, сравнение характеристик.