Наличие Infineon IRGS4B60KD1PBF на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 319 шт.
MOQ 600 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
На складе 16000 шт.
Обновлено 12:07 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 100 шт.
Обновлено 09:47 17.02.2021
На складе 319 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:05 17.02.2021
На складе 1000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 209 шт.
MOQ 7 шт.
Обновлено 17:51 17.02.2021
На складе 209 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:30 17.02.2021
На складе 319 шт.
MOQ 48 шт.
Обновлено 17:51 17.02.2021
На складе 100 шт.
MOQ 432 шт.
Обновлено 02:51 17.02.2021
Цена по запросу.
На складе 105 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 209 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:49 17.02.2021
На складе 319 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
На складе 2261 шт.
Обновлено 16:13 06.02.2021
Технические характеристики Infineon IRGS4B60KD1PBF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
11.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRGS4B60KD1
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
63.0 W
Время нарастания:
18.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
- 600V Low-Vceon Non Punch Through Copack IGBT in a D2-Pak package
- IGBT
- Тип транзистора: IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Collector Current, Ic:11A
- Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.50V
- Power Dissipation, Pd:63W
- Package/Case:D2-PAK
- C-E Breakdown Voltage:600V
- Соответствует RoHS: Да
Документы по Infineon IRGS4B60KD1PBF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Infineon IRGS4B60KD1PBF, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 12.0 A.
Входная емкость 850 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRGIB15B60KD1.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 52.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 35.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 12.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRGIB7B60KD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 39.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 22.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.