Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP601-I/P на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 120 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 630 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 6146 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
На складе 1727 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
На складе 1357 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 290 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tube На складе 1880 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 12:21 27.02.2021
Упаковка Bulk На складе 25 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:22 05.03.2021
На складе 25 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:26 05.03.2021
На складе 1880 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 09:55 03.03.2021
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:53 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 157 шт.
Обновлено 19:17 04.03.2021
На складе 1080 шт.
MOQ 180 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 6146 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
На складе 642 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
На складе 1373 шт.
MOQ 16 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 350 шт.
Обновлено 21:33 21.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Microchip MCP601-I/P, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
2.80 MHz
Тип корпуса / Кейс:
DIP
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
75.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
2.80 MHz
Input Offset Drift:
2.50 µV/K
Input Offset Voltage:
2.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Количество каналов:
1
Количество контуров:
1
Рабочая Температура:
85.0 °C (max)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
80.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
2.30 V/μs
Supply Current:
325 µA (max)
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 2.70 V (min)
- Одиночный усилитель малой мощности R-R O / P 6V Автомобильная 8-контактная лампа PDIP
- MCP601 Series 6 V 2.8 MHz Single Supply CMOS Operational Amplifier - PDIP-8
- Linear Op Amps, 2800kHz, 2.7 to 6V, PDIP-8, RoHS
- IC, OP AMP, CMOS RRO/P, DIP8, 601
- 2.7V to 5.5V Single-Supply CMOS Op Amps
Документы по Microchip MCP601-I/P, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP601-I/P, сравнение характеристик.
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 62.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 1.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 62.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 1.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).