Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP603-I/P на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 1486 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:28 15.01.2021
Упаковка Tube На складе 950 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 16.01.2021
Упаковка Tube На складе 266 шт.
Обновлено 01:29 12.01.2021
Цена по запросу.
На складе 67980 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 13:05 15.01.2021
На складе 49522 шт.
Обновлено 18:52 03.01.2021
Цена по запросу.
На складе 65760 шт.
Обновлено 13:20 15.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Microchip MCP603-I/P, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
2.80 MHz
Тип корпуса / Кейс:
DIP
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
75.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
2.80 MHz
Input Offset Drift:
2.50 µV/K
Input Offset Voltage:
2.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Количество каналов:
1
Количество контуров:
1
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 85.0 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
80.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
2.30 V/μs
Supply Current:
325 µA (max)
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 2.70 V (min)
- Op Amp Single GP R-R O/P 6V Automotive 8-Pin PDIP Tube
- IC,MCP603-I/P,8-DIP, OP-AMP SINGL 2.8 MHz GBW
- Single 2.7V Op Amp w/ CS
- I temp
- Linear Op Amps, 2800kHz, 2.7 to 6V, PDIP-8, RoHS
- IC, OP AMP, CMOS RRO/P, DIP8, 603
- Тип операционного усилителя: общего назначения
- Кол-во усилителей: 1
- Bandwidth:2.8MHz
- Slew Rate:2.3V/µs
- Диапазон напряжения питания: от 2,7 В до 5,5 В
- Стиль корпуса усилителя: DIP
- Количество контактов: 8
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 85 ° C
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Amplifier Type:CMOS
- Base Number:603
- Gain Bandwidth:2.8MHz
- I/O Type:Rail-Rail Outputs
- IC Generic Number:603
- Input Offset Voltage Max:2mV
- Logic Function Number:603
- Максимальная рабочая температура: 85 ° C
- Минимальная рабочая температура: -40 ° C
- Упаковка / корпус: DIP
- Slew Rate:2.3V/µs
- Supply Voltage + Nom:5.5V
- Максимальное напряжение питания: 6 В
- Мин. Напряжение питания: 2,7 В
- Тип прекращения: сквозное отверстие
Документы по Microchip MCP603-I/P, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP603-I/P, сравнение характеристик.
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 62.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 1.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 62.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 1.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).