Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6072T-E/SN на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 1102 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 152,75 ₽ до 576,73 ₽
На складе 520 шт.
MOQ 3300 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 1102 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) В наличии до 774 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 72,93 ₽ до 99,99 ₽
На складе 774 шт.
MOQ 825 шт.
Обновлено 12:21 27.02.2021
Упаковка Bulk На складе 88 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:22 05.03.2021
На складе 774 шт.
MOQ 825 шт.
Обновлено 09:55 03.03.2021
На складе 288 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:26 05.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
Упаковка Cut Tape В наличии до 37608 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 92,39 ₽ до 147,04 ₽
На складе 1102 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 37608 шт.
MOQ 45 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
Технические характеристики Microchip MCP6072T-E/SN, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.20 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
89.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
1.20 MHz
Input Offset Drift:
1.50 µV/K
Input Offset Voltage:
150 µV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C (min)
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Power Supply Rejection Ratio:
87.0 dB (min)
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
500 mV/μs
Supply Voltage (DC):
1.80 V (min), 6.00 V (max)
- Операционный усилитель Dual Precision Amplifier R-R I / O 6V Автомобильный 8-контактный SOIC N T / R
- MCP6072 Series 6 V 1.2 MHz Dual Operational Amplifier - SOIC-8
- Dual 1.8V 1.2MHz Op Amp
- E temp8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R
Документы по Microchip MCP6072T-E/SN, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6072T-E/SN, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 89.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 1.50 µV/K.
Input Offset Voltage 150 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 87.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 500 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 6.00 V (max).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 89.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 1.50 µV/K.
Input Offset Voltage 150 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 5.
Power Supply Rejection Ratio 87.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 500 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 6.00 V (max).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс TDFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 89.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 1.50 µV/K.
Input Offset Voltage 150 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 87.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 500 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 6.00 V (max).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 89.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 1.50 µV/K.
Input Offset Voltage 150 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 87.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 500 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 6.00 V (max).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 89.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 1.50 µV/K.
Input Offset Voltage 150 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 87.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 500 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 6.00 V (max).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).