Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6H02-E/SN на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 1855 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 77,55 ₽ до 590,56 ₽
На складе 403 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 80 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 622 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 1855 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
В наличии до 4010 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 68,51 ₽ до 109,76 ₽
На складе 2250 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 12:21 27.02.2021
Упаковка Bulk На складе 2250 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 09:55 03.03.2021
На складе 799 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 3072 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tube На складе 4010 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:26 05.03.2021
На складе 1500 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 03:22 05.03.2021
На складе 40 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:53 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 1500 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 03:26 05.03.2021
Цена по запросу.
На складе 874 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 1810 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 95,44 ₽ до 126,93 ₽
На складе 1810 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
Технические характеристики Microchip MCP6H02-E/SN, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.20 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
100 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
1.20 MHz
Input Offset Drift:
2.50 µV/K
Input Offset Voltage:
3.50 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
102 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
800 mV/μs
Supply Voltage (DC):
16.0 V (max), 3.50 V (min)
- Операционный усилитель CMOS серии MCP6H02, 16 В, 1,2 МГц, однополярный - SOIC-8
- Microchip MCP6H02-E/SN
- Двойной операционный усилитель
- 1.2MHz Rail-Rail
- 3.5 to 16 V
- 8-контактный SOIC
- Op Amp Dual GP R-R O/P ±8V/16V Automotive 8-Pin SOIC N Tube
- IC, OP-AMP, 1.2MHz, 0.8V/ us, 3.5mV, SOIC-8
Документы по Microchip MCP6H02-E/SN, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6H02-E/SN, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс TDFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс TDFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SC-70.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Reel.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).