Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6H01T-E/MNY на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 3445 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 55,25 ₽ до 72,93 ₽
На складе 3445 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 1872 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 250 шт.
Обновлено 16:42 28.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 100 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 100 шт.
Обновлено 21:33 21.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 650 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 650 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Microchip MCP6H01T-E/MNY, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.20 MHz
Тип корпуса / Кейс:
TDFN
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
100 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
1.20 MHz
Input Offset Drift:
2.50 µV/K
Input Offset Voltage:
3.50 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
102 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
800 mV/μs
Supply Voltage (DC):
16.0 V (max), 3.50 V (min)
- MCP6H01 Series 16 V 1.2 MHz Single Supply CMOS Operational Amplifier - TDFN-8
- Microchip MCP6H01T-E/MNY Op Amp, 1.2MHz Rail-Rail, 3.5 - 16 V, 8-Pin TDFN
- OP AMP, 16V, 1.2MHZ, SNGL, 8TDFN
- Тип операционного усилителя: Rail to Rail
- Кол-во усилителей: 1
- Полоса пропускания: 1,2 МГц
- Скорость нарастания: 0,8 В / мкс
- Supply Voltage Range:± 1.75V to ± 8V
- Amplifier Case Style:TDFN
- Количество контактов: 8
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
Документы по Microchip MCP6H01T-E/MNY, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6H01T-E/MNY, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс TDFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SC-70.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 100 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Reel.
Power Supply Rejection Ratio 102 dB (min).
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 16.0 V (max), 3.50 V (min).