Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6H92-E/SN на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 305 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 305 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 201 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
На складе 20 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 12:21 27.02.2021
Упаковка Bulk На складе 20 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 09:55 03.03.2021
На складе 606 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 99 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tube На складе 201 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:26 05.03.2021
На складе 201 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
Технические характеристики Microchip MCP6H92-E/SN, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
10.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
98.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
10.0 MHz
Input Offset Drift:
2.50 µV/K
Input Offset Voltage:
4.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C (min)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
94.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
10.0 V/μs
Supply Voltage (DC):
3.50 V (min), 12.0 V (max)
- Серия MCP6H92, двойной операционный усилитель 3,5 - 12 В, полоса пропускания 10 МГц, 10 В / мкс - SOIC-8
- Operational Amplifier, Dual, 10 Mhz, 2, 10 V/ S, 3.5V To 12V, Soic, 8 Rohs Compliant: Yes
- Микрочип MCP6H92-E / SN
- Двойной операционный усилитель
- 10 МГц Rail-Rail
- От 3,5 до 12 В
- 8-контактный SOIC
- Операционный усилитель Dual GP R-R O / P ± 6 В / 12 В, автомобильная 8-контактная лампа SOIC N
Документы по Microchip MCP6H92-E/SN, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6H92-E/SN, сравнение характеристик.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 98.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 94.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 3.50 V (min), 12.0 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 98.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 94.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 3.50 V (min), 12.0 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 98.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 94.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 3.50 V (min), 12.0 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 300 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 5.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс VSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 300 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 5.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс WSON.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 300 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.