Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6H94-E/ST на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 4 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 4 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 80 шт.
MOQ 80 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 535 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 178 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tube Технические характеристики Microchip MCP6H94-E/ST, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
10.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
TSSOP
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
98.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
10.0 MHz
Input Offset Drift:
2.50 µV/K
Input Offset Voltage:
4.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C (min)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
14
Power Supply Rejection Ratio:
94.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
10.0 V/μs
Supply Voltage (DC):
3.50 V (min), 12.0 V (max)
- MCP6H94 Series Quad Channel 12 V 10 MHz 1 mV Operational Amplifier - TSSOP-14
- Microchip MCP6H94-E/ST
- Четырехъядерный операционный усилитель
- 10 МГц Rail-Rail
- От 3,5 до 12 В
- 14-контактный TSSOP
- Op Amp Quad GP R-R O/P ±6V/12V Automotive 14-Pin TSSOP Tube
- OP AMP, QUAD, 12V, 10MHZ, 14TSSOP
- Op Amp Type:Unity Gain Stable
- Количество усилителей: 4
- Скорость нарастания: 10 В / мкс
- Supply Voltage Range:3.5V to 12V
- Amplifier Case Style:TSSOP
- Количество контактов: 14
- Полоса пропускания: 10 МГц
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
- MSL: MSL 1 - без ограничений
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2012 г.)
Документы по Microchip MCP6H94-E/ST, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6H94-E/ST, сравнение характеристик.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 98.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 94.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 3.50 V (min), 12.0 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 98.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 94.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 3.50 V (min), 12.0 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 98.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 94.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 3.50 V (min), 12.0 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 300 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 5.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс VSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 300 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 5.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс WSON.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 300 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.