Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БЮТ

NTE Electronics
NTE123

Transistor, Bipolar, Si, NPN, Audio Amplifier, Switch, VCEO 40V, IC 800mA, PD 800mW

Цена от 120,61 ₽ до 491,88 ₽

Наличие NTE Electronics NTE123 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена

Технические характеристики NTE Electronics NTE123, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Base]:
75.0 V (min)
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
40.0 V (min)
Тип корпуса / Кейс:
TO-39
Mounting Style:
Through Hole
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN, N-Channel
Рассеяние мощности:
800 mW
RoHS:
Compliant
  • Transistor, Bipolar,Si,NPN,Audio Amplifier, Switch,VCEO 40V,IC 800mA,PD 800mW
  • Transistor NPN Silicon 75V IC-0.8A TO-39 Audio Amp
  • Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin TO-39
  • BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-39
  • Tra
  • BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-39
  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V
  • Transition Frequency ft:300MHz
  • Power Dissipation Pd:800mW
  • DC Collector Current:800mA
  • DC Current Gain hFE:300hFE
  • Ассортимент продукции: -

Документы по NTE Electronics NTE123, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на NTE Electronics NTE123, сравнение характеристик.