NTE Electronics
NTE123
Transistor, Bipolar, Si, NPN, Audio Amplifier, Switch, VCEO 40V, IC 800mA, PD 800mW
Цена от 120,61 ₽ до 491,88 ₽
Наличие NTE Electronics NTE123 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 284 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 120,61 ₽ до 224,16 ₽
На складе 121 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 12:23 03.03.2021
Упаковка Bulk На складе 121 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 09:58 05.03.2021
На складе 4 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
На складе 121 шт.
MOQ 31 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 11 шт.
Обновлено 18:45 03.03.2021
На складе 61 шт.
Обновлено 20:52 05.03.2021
Цена по запросу.
На складе 284 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1 шт.
Обновлено 18:13 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 228 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 870 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 190,07 ₽ до 491,88 ₽
На складе 4 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:13 05.03.2021
На складе 870 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 10 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 239,87 ₽ до 368,82 ₽
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:09 05.03.2021
Технические характеристики NTE Electronics NTE123, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Base]:
75.0 V (min)
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
40.0 V (min)
Тип корпуса / Кейс:
TO-39
Mounting Style:
Through Hole
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN, N-Channel
Рассеяние мощности:
800 mW
RoHS:
Compliant
- Transistor, Bipolar,Si,NPN,Audio Amplifier, Switch,VCEO 40V,IC 800mA,PD 800mW
- Transistor NPN Silicon 75V IC-0.8A TO-39 Audio Amp
- Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin TO-39
- BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-39
- Tra
- BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-39
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V
- Transition Frequency ft:300MHz
- Power Dissipation Pd:800mW
- DC Collector Current:800mA
- DC Current Gain hFE:300hFE
- Ассортимент продукции: -
Документы по NTE Electronics NTE123, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на NTE Electronics NTE123, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 80.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-39.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 200 °C (max).
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 800 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Breakdown Voltage [Collector to Base] 120 V.
Тип корпуса / Кейс TO-39.
Текущий рейтинг 500 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 175 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 800 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 120 V.
Breakdown Voltage [Collector to Base] 75.0 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 40.0 V (min).
Тип корпуса / Кейс TO-39.
Текущий рейтинг 600 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 175 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 800 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel, PNP.
Рассеяние мощности 800 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.