Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDD8451

PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 40V, 28A, 24mΩ

Цена от 34,15 ₽ до 556,00 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDD8451 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 14
В наличии до 854845 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 34,15 ₽ до 114,36 ₽
США
На складе 1598 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:26 05.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
34,15 ₽ от 1 шт.
34,15 ₽ от 10 шт.
34,15 ₽ от 100 шт.
34,15 ₽ от 500 шт.
США
На складе 2052 шт.
MOQ 19 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
40,37 ₽ от 19 шт.
39,37 ₽ от 25 шт.
38,36 ₽ от 100 шт.
37,33 ₽ от 250 шт.
36,34 ₽ от 500 шт.
35,33 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2052 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
Упаковка Cut Tape
43,04 ₽ от 1 шт.
41,99 ₽ от 10 шт.
40,94 ₽ от 25 шт.
39,90 ₽ от 100 шт.
38,83 ₽ от 250 шт.
37,79 ₽ от 500 шт.
36,75 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 854845 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
40,50 ₽ от 1 шт.
39,69 ₽ от 25 шт.
38,87 ₽ от 100 шт.
38,07 ₽ от 500 шт.
37,26 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2841 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel
80,41 ₽ от 1 шт.
76,72 ₽ от 10 шт.
76,72 ₽ от 50 шт.
58,18 ₽ от 100 шт.
42,88 ₽ от 1000 шт.
39,31 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1598 шт.
MOQ 171 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
40,04 ₽ от 171 шт.
40,04 ₽ от 500 шт.
США
На складе 2630 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
113,91 ₽ от 1 шт.
98,50 ₽ от 10 шт.
93,94 ₽ от 25 шт.
68,19 ₽ от 100 шт.
56,98 ₽ от 500 шт.
48,49 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
60,33 ₽ от 2500 шт.
56,13 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 1649 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:22 05.03.2021
103,02 ₽ от 1 шт.
92,57 ₽ от 10 шт.
66,43 ₽ от 100 шт.
56,56 ₽ от 500 шт.
Канада
На складе 2500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:53 05.03.2021
Упаковка Cut Tape
114,36 ₽ от 1 шт.
74,90 ₽ от 50 шт.
69,76 ₽ от 100 шт.
62,90 ₽ от 250 шт.
58,89 ₽ от 500 шт.
США
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
98,31 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
108,68 ₽ от 2500 шт.
101,43 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 275 шт.
Обновлено 16:42 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1925 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.
Европа 2
В наличии до 7500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 39,15 ₽ до 556,00 ₽
Европейский союз
На складе 7500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 07:22 05.03.2021
47,54 ₽ от 2500 шт.
44,75 ₽ от 5000 шт.
41,95 ₽ от 10000 шт.
40,55 ₽ от 15000 шт.
39,15 ₽ от 20000 шт.
Британия
На складе 1547 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
556,00 ₽ от 1 шт.
453,40 ₽ от 10 шт.
300,88 ₽ от 100 шт.
262,06 ₽ от 500 шт.
210,75 ₽ от 1000 шт.
210,75 ₽ от 5000 шт.
Азия 4
В наличии до 2500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 40,60 ₽ до 154,12 ₽
Китай
На складе 2052 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
47,55 ₽ от 1 шт.
46,39 ₽ от 10 шт.
45,23 ₽ от 25 шт.
43,55 ₽ от 100 шт.
42,95 ₽ от 250 шт.
42,43 ₽ от 500 шт.
40,60 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 8 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
87,10 ₽ от 1 шт.
64,87 ₽ от 10 шт.
60,56 ₽ от 30 шт.
56,48 ₽ от 100 шт.
54,66 ₽ от 500 шт.
53,75 ₽ от 1000 шт.
Сингапур
На складе 1490 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
124,51 ₽ от 1 шт.
112,06 ₽ от 10 шт.
106,31 ₽ от 25 шт.
79,78 ₽ от 100 шт.
67,71 ₽ от 500 шт.
55,17 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 2500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
154,12 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor FDD8451, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
40.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-252
Continuous Drain Current (Ids):
28.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
37.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
30.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
40.0 V
  • PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 40V, 28A, 24mΩ
  • N-Channel 40 V 24 mOhm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - TO-252-3
  • MOSFET, N CH, 40V, 28A, TO-252
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:28A
  • Напряжение источника стока Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on):0.019ohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V
  • Рассеиваемая мощность Pd: 30 Вт
  • Минимальная рабочая температура: -55 ° C
  • Максимальная рабочая температура: 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-252
  • Количество контактов: 3
  • MSL:-
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2013 г.)
  • This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, fast switching speed and extremely low rDS(on).

Документы по ON Semiconductor FDD8451, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 03.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 30.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor FDD8451, сравнение характеристик.

Infineon IRF1404PBF
Цена от 70,64 ₽ до 1 407,34 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 162 A.
Continuous Drain Current (Ids) 202 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF1404.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 4.00 mΩ, 3.50 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 140 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
Infineon IRF1404ZPBF
Цена от 68,37 ₽ до 1 136,96 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 190 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF1404Z.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 220 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 110 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
Infineon IRF2804PBF
Цена от 126,37 ₽ до 1 892,63 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 270 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF2804.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 330 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 120 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
Infineon IRFR4104TRPBF
Цена от 53,22 ₽ до 1 053,77 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 42.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 42.0 A, 119 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tube.
Part Family IRFR4104.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 140 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 69.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
Infineon IRF2204PBF
Цена от 93,56 ₽ до 395,95 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Текущий рейтинг 210 A.
Continuous Drain Current (Ids) 210 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF2204.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 330 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 140 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
Infineon IRL1404ZPBF
Цена от 92,97 ₽ до 1 338,01 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole, Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRL1404Z.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 230 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 180 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
Infineon IRF4104SPBF
Цена от 76,25 ₽ до 1 095,37 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF4104S.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 140 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 130 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
ON Semiconductor FDD8447L
Цена от 30,05 ₽ до 635,03 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Gate Charge 52.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 15.2 A.
Входная емкость 1.97 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 45.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
ON Semiconductor FDS8449
Цена от 32,40 ₽ до 623,94 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 7.60 A.
Gate Charge 11.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 7.60 A.
Входная емкость 760 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 21.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
ON Semiconductor FDS8447
Цена от 27,82 ₽ до 560,16 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 12.8 A.
Gate Charge 49.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 12.8 A.
Входная емкость 2.60 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 10.5 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
ON Semiconductor FDD8445
Цена от 27,70 ₽ до 776,46 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Continuous Drain Current (Ids) 15.2 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 79.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.