ON Semiconductor
FDY2000PZ
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -0.35A, 1.2Ω
Цена от 10,34 ₽ до 137,47 ₽
Наличие ON Semiconductor FDY2000PZ на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 291000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 13,22 ₽ до 44,43 ₽
На складе 6192 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 17920 шт.
MOQ 128 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 2500 шт.
MOQ 42 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 2500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 291000 шт.
MOQ 2025 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 291000 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
На складе 18480 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 74 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 10,34 ₽ до 137,47 ₽
На складе 1 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 74 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) В наличии до 2915 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 17,97 ₽ до 58,76 ₽
На складе 2500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 2915 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
На складе 2 шт.
Обновлено 15:51 20.02.2021
Технические характеристики ON Semiconductor FDY2000PZ, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-8.00 V to 8.00 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-363
Continuous Drain Current (Ids):
350 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, Dual P-Channel
Рассеяние мощности:
630 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
500 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
- Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -0.35A, 1.2Ω
- Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 350mA 6-Pin SOT-563 T/R
- Dual P-Channel 20 V 1.2 ohm Surface Mount Specified PowerTrench Mosfet - SC-89-6
- This Dual P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = - 2.5v.
- MOSFET, DUAL, P, SMD, SC89
- Конфигурация модуля: двойной
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current Id:350mA
- Напряжение источника стока Vds: 20 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 1,2 Ом
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -4,5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ:-1.03V
- Рассеиваемая мощность Pd: 625 мВт
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Transistor Case Style:SC-89
- Количество контактов: 6
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Current Id Max:-350mA
- Package / Case:SC-89
- Рассеиваемая мощность Pd: 625 мВт
- Pulse Current Idm:1A
- SMD Marking:A
- Тип завершения: SMD
- Voltage Vds Typ:-20V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
- Voltage Vgs th Max:-1.5V
Документы по ON Semiconductor FDY2000PZ, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor FDY2000PZ, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -55.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг -12.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) -12.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF9Z24N.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 45.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 55.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -100 V.
Текущий рейтинг -23.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) -23.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF9540N.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 140 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 67.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -100 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -55.0 V.
Текущий рейтинг -1.60 A.
Continuous Drain Current (Ids) -11.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFU9024N.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 38.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 55.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -60.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -100 V.
Текущий рейтинг -6.80 A.
Continuous Drain Current (Ids) -6.80 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 60.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 29.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -100 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг -3.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) -3.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Part Family IRLML6402.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.30 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 48.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Roll, Reel.
Part Family IRLML2244.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Roll, Reel.
Part Family IRLML2246.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -200 V.
Текущий рейтинг -11.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 11.0 A, -11.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 125 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 43.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -200 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -200 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -100 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг -40.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A, -40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF5210.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 200 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 86.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -100 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 6.60 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7317.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 175 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.