Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDY2000PZ

Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -0.35A, 1.2Ω

Цена от 10,34 ₽ до 137,47 ₽

Наличие ON Semiconductor FDY2000PZ на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 7
В наличии до 291000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 13,22 ₽ до 44,43 ₽
США
На складе 6192 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel
44,43 ₽ от 1 шт.
34,99 ₽ от 10 шт.
34,99 ₽ от 50 шт.
24,66 ₽ от 100 шт.
16,44 ₽ от 1000 шт.
13,22 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 17920 шт.
MOQ 128 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
16,14 ₽ от 345 шт.
15,81 ₽ от 2100 шт.
15,55 ₽ от 4100 шт.
15,31 ₽ от 11000 шт.
15,06 ₽ от 21000 шт.
США
На складе 2500 шт.
MOQ 42 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
18,51 ₽ от 42 шт.
16,75 ₽ от 100 шт.
16,70 ₽ от 250 шт.
16,15 ₽ от 500 шт.
15,61 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape
20,35 ₽ от 1 шт.
19,29 ₽ от 10 шт.
19,25 ₽ от 25 шт.
17,42 ₽ от 100 шт.
17,36 ₽ от 250 шт.
16,80 ₽ от 500 шт.
16,23 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 291000 шт.
MOQ 2025 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
18,65 ₽ от 2025 шт.
18,26 ₽ от 2100 шт.
17,98 ₽ от 4100 шт.
17,69 ₽ от 11000 шт.
17,41 ₽ от 21000 шт.
17,12 ₽ от 110000 шт.
16,83 ₽ от 210000 шт.
США
На складе 291000 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
19,20 ₽ от 1 шт.
18,82 ₽ от 25 шт.
18,44 ₽ от 100 шт.
18,04 ₽ от 500 шт.
17,66 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 18480 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
Европа 2
В наличии до 74 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 10,34 ₽ до 137,47 ₽
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
16,05 ₽ от 5 шт.
13,71 ₽ от 25 шт.
11,03 ₽ от 100 шт.
10,34 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 74 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
137,47 ₽ от 5 шт.
106,61 ₽ от 10 шт.
Азия 3
В наличии до 2915 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 17,97 ₽ до 58,76 ₽
Китай
На складе 2500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
22,53 ₽ от 1 шт.
21,36 ₽ от 10 шт.
21,30 ₽ от 25 шт.
19,28 ₽ от 100 шт.
19,22 ₽ от 250 шт.
18,59 ₽ от 500 шт.
17,97 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 2915 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
32,97 ₽ от 1 шт.
24,50 ₽ от 10 шт.
22,96 ₽ от 30 шт.
21,40 ₽ от 100 шт.
20,71 ₽ от 500 шт.
20,37 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 2 шт.
Обновлено 15:51 20.02.2021
58,76 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor FDY2000PZ, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-8.00 V to 8.00 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-363
Continuous Drain Current (Ids):
350 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, Dual P-Channel
Рассеяние мощности:
630 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
500 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -0.35A, 1.2Ω
  • Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 350mA 6-Pin SOT-563 T/R
  • Dual P-Channel 20 V 1.2 ohm Surface Mount Specified PowerTrench Mosfet - SC-89-6
  • This Dual P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = - 2.5v.
  • MOSFET, DUAL, P, SMD, SC89
  • Конфигурация модуля: двойной
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current Id:350mA
  • Напряжение источника стока Vds: 20 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 1,2 Ом
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -4,5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ:-1.03V
  • Рассеиваемая мощность Pd: 625 мВт
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:SC-89
  • Количество контактов: 6
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:-350mA
  • Package / Case:SC-89
  • Рассеиваемая мощность Pd: 625 мВт
  • Pulse Current Idm:1A
  • SMD Marking:A
  • Тип завершения: SMD
  • Voltage Vds Typ:-20V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
  • Voltage Vgs th Max:-1.5V

Документы по ON Semiconductor FDY2000PZ, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на ON Semiconductor FDY2000PZ, сравнение характеристик.