Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
FGA25N120ANTDTU

Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

Цена от 188,96 ₽ до 2 350,18 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
RS Components
На складе 254 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
371,13 ₽ от 10 шт.
344,54 ₽ от 50 шт.
316,02 ₽ от 100 шт.
298,57 ₽ от 450 шт.
RS Components
На складе 284 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
470,11 ₽ от 2 шт.
371,13 ₽ от 10 шт.
344,54 ₽ от 50 шт.
316,02 ₽ от 100 шт.
298,57 ₽ от 450 шт.
Farnell
На складе 7896 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
2 350,18 ₽ от 1 шт.
1 774,77 ₽ от 10 шт.
1 338,01 ₽ от 100 шт.
1 268,68 ₽ от 500 шт.
1 130,03 ₽ от 1000 шт.
Avnet Europe
На складе 450 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:22 05.03.2021
Цена по запросу.
Euro-Tech
На складе 121 шт.
Обновлено 12:22 02.03.2021
Цена по запросу.
Verical
На складе 287 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
188,96 ₽ от 4 шт.
Digi-Key
На складе 1316 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
390,87 ₽ от 1 шт.
328,11 ₽ от 10 шт.
309,66 ₽ от 25 шт.
265,41 ₽ от 100 шт.
235,92 ₽ от 500 шт.
202,01 ₽ от 1000 шт.
194,75 ₽ от 2500 шт.
Arrow Electronics
На складе 287 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
196,52 ₽ от 1 шт.
Mouser
На складе 496 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
368,54 ₽ от 1 шт.
292,60 ₽ от 10 шт.
292,60 ₽ от 50 шт.
251,28 ₽ от 100 шт.
197,67 ₽ от 1000 шт.
197,67 ₽ от 10000 шт.
Rochester Electronics
На складе 5419 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
216,61 ₽ от 1 шт.
212,28 ₽ от 25 шт.
207,95 ₽ от 100 шт.
203,61 ₽ от 500 шт.
199,28 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 3906 шт.
MOQ 7 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
281,43 ₽ от 7 шт.
262,33 ₽ от 25 шт.
244,24 ₽ от 50 шт.
225,14 ₽ от 100 шт.
212,08 ₽ от 250 шт.
Newark
На складе 5313 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
439,03 ₽ от 1 шт.
373,99 ₽ от 10 шт.
348,43 ₽ от 25 шт.
324,04 ₽ от 50 шт.
299,65 ₽ от 100 шт.
282,23 ₽ от 250 шт.
Touchstone Systems
На складе 15750 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
One Stop Electro
На складе 834 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
SPEC
На складе 14 шт.
Обновлено 18:13 04.03.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 2102 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Win Source Electronics
На складе 2901 шт.
MOQ 19 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
354,34 ₽ от 19 шт.
292,31 ₽ от 45 шт.
283,44 ₽ от 70 шт.
274,58 ₽ от 95 шт.
265,72 ₽ от 125 шт.
239,26 ₽ от 165 шт.
element14 APAC
На складе 5472 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
480,80 ₽ от 1 шт.
408,01 ₽ от 10 шт.
327,56 ₽ от 100 шт.
307,44 ₽ от 250 шт.
291,16 ₽ от 500 шт.
258,60 ₽ от 1000 шт.
Ampacity Systems
На складе 733 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.
GreenTree Electronics
На складе 15750 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
1.20 kV
Текущий рейтинг:
50.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
312 W (max)
Время нарастания:
60.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
1.20 kV
  • Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
  • Transistor IGBT Chip N Channel 1.2k Volt 50 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-3PN Rail
  • FGA25N120ANTD Series 1200 V 50 A Flange Mont NPT Trench IGBT - TO-3PN
  • IGBT, NPT, TO-3PN
  • DC Collector Current:50A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.5V
  • Power Dissipation Pd:312mW
  • Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ
  • Transistor Case Style:TO-3PN
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:50A
  • Package / Case:TO-3PN
  • Power Dissipation Max:312W
  • Power Dissipation Pd:312mW
  • Pulsed Current Icm:90A
  • Rise Time:60ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1.2kV
  • Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating, microwave oven, etc.

Документы по ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 06.11.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)

Товары похожие на ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU, сравнение характеристик.

STMicroelectronics STGF3NC120HD
Цена от 29,97 ₽ до 1 074,57 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Текущий рейтинг 3.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 3.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG18N120BND
Цена от 240,35 ₽ до 2 821,61 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 390 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 22.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.