ON Semiconductor
FQPF19N20T
Mosfet N-ch 100V 11.8A TO-220F
Цена от 65,21 ₽ до 74,39 ₽
Наличие ON Semiconductor FQPF19N20T на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 2000 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 65,21 ₽ до 74,39 ₽
На складе 2000 шт.
MOQ 526 шт.
Обновлено 03:22 05.03.2021
На складе 2000 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
Технические характеристики ON Semiconductor FQPF19N20T, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
200 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-30.0 V to 30.0 V
Текущий рейтинг:
19.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
11.8 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Упаковка:
Tube
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
50.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
150 mΩ
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
200 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
100 V
- MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F
- МОП-транзисторы и МОП-транзисторы РФ.
Документы по ON Semiconductor FQPF19N20T, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor FQPF19N20T, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 200 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -30.0 V to 30.0 V.
Текущий рейтинг 19.4 A.
Continuous Drain Current (Ids) 11.8 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 50.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 150 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 200 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 200 V.