ON Semiconductor
FQT13N06LTF
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 2.8 A, 110 mΩ, SOT-223
Цена от 19,16 ₽ до 452,23 ₽
Наличие ON Semiconductor FQT13N06LTF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 7585 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 21,27 ₽ до 452,23 ₽
На складе 4450 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 07:20 13.12.2020
На складе 7585 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:28 27.12.2020
На складе 555 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:28 27.12.2020
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 03:24 26.12.2020
Упаковка Tape & Reel (1 шт.) На складе 5163 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:24 26.12.2020
Упаковка Cut Tape (1 шт.) В наличии до 12196 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 19,16 ₽ до 76,50 ₽
На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
На складе 1512 шт.
Обновлено 09:49 26.12.2020
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 01:45 26.12.2020
Упаковка Tape & Reel На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 16:18 26.12.2020
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 03:55 26.12.2020
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 14:14 26.12.2020
Упаковка Tape & Reel На складе 4654 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:54 25.12.2020
Упаковка Tape & Reel На складе 3394 шт.
MOQ 36 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
На складе 3394 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 26.12.2020
Упаковка Cut Tape На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
На складе 4184 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:14 26.12.2020
Упаковка Cut Tape На складе 7488 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:45 26.12.2020
Упаковка Cut Tape На складе 748 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:55 26.12.2020
Упаковка Cut Tape (5 шт.) На складе 467 шт.
Обновлено 17:02 05.12.2020
Цена по запросу.
На складе 3080 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
На складе 12196 шт.
Обновлено 18:54 23.12.2020
Цена по запросу.
В наличии до 4000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 25,63 ₽ до 97,46 ₽
На складе 2766 шт.
MOQ 175 шт.
Обновлено 08:15 24.12.2020
На складе 3394 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:44 26.12.2020
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 15:45 26.12.2020
Упаковка Tape & Reel (1 шт.) На складе 2641 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:25 26.12.2020
На складе 748 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:45 26.12.2020
Упаковка Cut Tape (1 шт.) Технические характеристики ON Semiconductor FQT13N06LTF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-223
Текущий рейтинг:
2.80 A
Continuous Drain Current (Ids):
2.80 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.10 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
110 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
- Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 2.8 A, 110 mΩ, SOT-223
- N-Channel 60 V 0.11Ohm Surface Mount Logic Mosfet - SOT-223
- Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
- Этот силовой МОП-транзистор с N-канальным улучшенным режимом производится с использованием запатентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, а также для обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой устойчивости к лавинной энергии. Эти устройства подходят для импульсных источников питания, аудиоусилителей, управления двигателями постоянного тока и приложений с регулируемой импульсной мощностью.
Документы по ON Semiconductor FQT13N06LTF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor FQT13N06LTF, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -25.0 V to 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 2.80 A.
Continuous Drain Current (Ids) 2.80 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.10 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 140 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.