Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
J112-D26Z

Транзистор, jfet, n-канал, 40 В (Br) Dss, 5 мА I (Dss), соответствует требованиям RoHS to-92: Да
Datasheet

Наличие ON Semiconductor J112-D26Z на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 1
В наличии до 376 шт.
MOQ от 100 шт.
США
На складе 376 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor J112-D26Z, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-92
Текущий рейтинг:
50.0 mA
Continuous Drain Current (Ids):
5.00 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
625 mW (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
50.0 Ω
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
35.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
35.0 V
  • Transistor,jfet,n-Channel,40V V(Br)Dss,5Ma I(Dss),to-92 Rohs Compliant: Yes
  • J112 Series 35 V 5 mA Through Hole N-Channel Switch - TO-92-3
  • N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 51.

Документы по ON Semiconductor J112-D26Z, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 01.03.2006)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 22.02.2014)
Лист материалов
(3 страницы, 22.02.2014)

Товары похожие на ON Semiconductor J112-D26Z, сравнение характеристик.

ON Semiconductor J113
Цена от 8,08 ₽ до 292,60 ₽
Напряжение пробоя -35.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 40.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 2.00 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Box.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 100 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J111
Цена от 8,86 ₽ до 328,82 ₽
Напряжение пробоя -35.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 20.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 30.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J112
Цена от 9,25 ₽ до 51,90 ₽
Напряжение пробоя -35.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 35.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 5.00 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk, Box.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.