ON Semiconductor
MMBF4392LT1G
N Channel 30 V 50 mA Surface Mount JFET Switching Transistor - SOT-23
Цена от 4,98 ₽ до 305,04 ₽
Наличие ON Semiconductor MMBF4392LT1G на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики ON Semiconductor MMBF4392LT1G, атрибуты и параметры.
Напряжение пробоя:
-30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23-3
Текущий рейтинг:
50.0 mA
Halogen Free Status:
Halogen Free
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
225 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- N Channel 30 V 50 mA Surface Mount JFET Switching Transistor - SOT-23
- Транзистор
- JFET Switching
- 30 VDC
- 50 mADC
- СОТ-23
- Без свинца
- Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
- Jfet, 30V, 0.75A, 0.225W, Sot-23-3
- Breakdown Voltage Vbr:30V
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:25Ma
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:75Ma
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(Off) Max:-5V
- Transistor Type:jfet Rohs Compliant: Yes
Документы по ON Semiconductor MMBF4392LT1G, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor MMBF4392LT1G, сравнение характеристик.
Напряжение пробоя -30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Continuous Drain Current (Ids) 50.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.