Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G Series N Channel 30 V 50 mA JFET Switching Transistor - SOT-23

Цена от 8,87 ₽ до 94,28 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor MMBF4393LT1G на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена

Технические характеристики ON Semiconductor MMBF4393LT1G, атрибуты и параметры.

Напряжение пробоя:
-30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23-3
Текущий рейтинг:
50.0 mA
Halogen Free Status:
Halogen Free
Continuous Drain Current (Ids):
50.0 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
225 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • MMBF4393LT1G Series N Channel 30 V 50 mA JFET Switching Transistor - SOT-23
  • TRANSISTOR
  • JFET
  • N-CHANNEL
  • СОТ-23
  • 100 OHMS (MAX.)
  • 30
  • 30
  • -55
  • +150
  • JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 / Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
  • JFET, 30V, 0.3A, 0.225W, SOT-23-3
  • Transistor Type:JFET
  • Breakdown Voltage Vbr:30V
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mA
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:30mA
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-3V

Документы по ON Semiconductor MMBF4393LT1G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(, 16.01.2006)
Заявление Rohs
(, 17.08.2012)
Лист материалов
Заявление о достижении
(, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor MMBF4393LT1G, сравнение характеристик.

ON Semiconductor MMBF4392LT1G
Цена от 4,98 ₽ до 305,04 ₽
Напряжение пробоя -30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
ON Semiconductor MMBF4391LT1G
Цена от 8,06 ₽ до 339,70 ₽
Напряжение пробоя -30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
ON Semiconductor MMBF4391
Цена от 8,93 ₽ до 62,93 ₽
Напряжение пробоя -30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 50.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 30.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.