Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БЮТ

ON Semiconductor
MPS6601G

Trans NPN 25V 1A TO92

Цена от 6,60 ₽ до 7,68 ₽

Наличие ON Semiconductor MPS6601G на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet
На складе 42804 шт.
MOQ 5342 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
7,68 ₽ от 5342 шт.
7,57 ₽ от 5400 шт.
7,35 ₽ от 11000 шт.
7,19 ₽ от 27000 шт.
6,92 ₽ от 54000 шт.
6,76 ₽ от 270000 шт.
6,60 ₽ от 540000 шт.
Rochester Electronics
На складе 42804 шт.
Обновлено 09:57 09.02.2021
7,28 ₽ от 1 шт.
7,13 ₽ от 25 шт.
6,99 ₽ от 100 шт.
6,84 ₽ от 500 шт.
6,70 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor MPS6601G, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
25.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-92
Текущий рейтинг:
1.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Bulk
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
1.50 W (max)
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
25.0 V
  • TRANS NPN 25V 1A TO92
  • Small Signal Amplifier NPN
  • SS T092 GP XSTR NPN 25V
  • Биполярный транзистор
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Рассеиваемая мощность, Pd: 0,625 Вт
  • DC Current Gain Min (hfe):30
  • C-E Breakdown Voltage:25V
  • Collector Current:1A
  • Совместимость с ведущим процессом: Да
  • Package/Case:TO-92 RoHS Compliant: Yes

Документы по ON Semiconductor MPS6601G, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на ON Semiconductor MPS6601G, сравнение характеристик.