ON Semiconductor
N64S830HAS22I
N64S830HAS22I SRAM Memory Chip; 64kb; 2.5 - 3.6 V; 5ns 8-Pin SOIC
Цена от 83,59 ₽ до 191,68 ₽
Наличие ON Semiconductor N64S830HAS22I на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 2200 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 17:52 10.02.2021
На складе 190 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 17:52 10.02.2021
На складе 6517 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
На складе 190 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:32 10.02.2021
На складе 6300 шт.
MOQ 300 шт.
Обновлено 17:52 10.02.2021
На складе 11626 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
На складе 1600 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 114 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:43 10.02.2021
Упаковка Tube На складе 168 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Tray На складе 2156 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 190 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
Технические характеристики ON Semiconductor N64S830HAS22I, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Clock Speed:
20.0 MHz
Halogen Free Status:
Halogen Free
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Размер памяти:
8000 B
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 85.0 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
3.60 V (max), 2.50 V (min), 2.30 V (min)
- N64S830HAS22I SRAM Memory Chip
- 64kb
- 2.5 - 3.6 V
- 5ns 8-контактный SOIC
- SRAM Chip Sync Single 3V 64K-Bit 8K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube
- N64S830HA Series 64 Kbyte 3 V Low Power Serial SRAM - SOIC-8
- Serial SRAM Memory, 64-kb, 3.0 V
- IC SRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
- The ON Semiconductor serial SRAM family includes several integrated memory devices including this 64 k serially accessed Static Random Access Memory internally organized as 8 k words by 8 bits. The devices are designed and fabricated using advanced CMOS technology to provide both high-speed performance and low power. The devices operate with a single chip select (CS) input and use a simple Serial Peripheral Interface (SPI) serial bus. A single data in and data out line is used along with a clock to access data within the devices. The N64S830HA devices include a HOLD pin that allows communication to the device to be paused. While paused input transitions will be ignored. The devices can operate over a wide temperature range of -40C to +85C and can be available in several standard package offerings.
Документы по ON Semiconductor N64S830HAS22I, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor N64S830HAS22I, сравнение характеристик.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 20.0 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 125000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 20.0 MHz.
Частота 20.0 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 2.70 V (min).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 20.0 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 1000000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 20.0 MHz.
Частота 20.0 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 1000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 2.70 V (min).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 16.0 MHz.
Частота 20.0 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.95 V (max), 1.70 V (min).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 20.0 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 125000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 2.20 V (max), 1.70 V (min).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 20.0 MHz.
Частота 16.0 MHz.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 32000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 2.70 V (min).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 16.0 MHz.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 32000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.95 V (max), 1.70 V (min).
Время доступа 100 ms.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 100 kHz (max), 100 kHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Размер памяти 2000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.00 V, 6.00 V (max).
Время доступа 100 ms.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 100 kHz (max), 100 kHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Размер памяти 2000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.00 V, 6.00 V (max).