Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G Dual N/P-channel MOSFET Transistor; 0.91A; 1.1A; 8V; 20V; 6-Pin SOT-363

Цена от 8,75 ₽ до 335,13 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor NTJD4105CT1G на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 5
В наличии до 35250 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 8,75 ₽ до 335,13 ₽
Европейский союз
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:36 10.02.2021
10,86 ₽ от 3000 шт.
10,26 ₽ от 6000 шт.
9,65 ₽ от 12000 шт.
9,05 ₽ от 18000 шт.
8,75 ₽ от 24000 шт.
Польша
На складе 55 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
19,23 ₽ от 5 шт.
13,43 ₽ от 25 шт.
10,79 ₽ от 100 шт.
9,69 ₽ от 500 шт.
9,04 ₽ от 3000 шт.
Британия
На складе 35250 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 01:31 09.02.2021
21,77 ₽ от 25 шт.
Британия
На складе 2257 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:24 09.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
335,13 ₽ от 5 шт.
196,89 ₽ от 10 шт.
96,35 ₽ от 100 шт.
93,56 ₽ от 500 шт.
Германия
На складе 2400 шт.
Обновлено 08:28 08.02.2021
Цена по запросу.
Америка 15
В наличии до 57000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 8,78 ₽ до 58,68 ₽
Канада
На складе 12000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:41 10.02.2021
Упаковка Tape & Reel
10,97 ₽ от 3000 шт.
9,12 ₽ от 9000 шт.
9,02 ₽ от 15000 шт.
8,90 ₽ от 30000 шт.
8,78 ₽ от 60000 шт.
США
На складе 9000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
10,48 ₽ от 3000 шт.
10,03 ₽ от 6000 шт.
9,71 ₽ от 15000 шт.
США
На складе 57000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 20:07 09.02.2021
11,27 ₽ от 3000 шт.
10,51 ₽ от 57000 шт.
США
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
11,64 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 16:10 09.02.2021
12,10 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 1760 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
16,93 ₽ от 1 шт.
40,42 ₽ от 10 шт.
19,11 ₽ от 100 шт.
18,08 ₽ от 250 шт.
16,93 ₽ от 500 шт.
13,70 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2435 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Cut Tape
58,68 ₽ от 1 шт.
41,41 ₽ от 10 шт.
39,59 ₽ от 25 шт.
20,87 ₽ от 100 шт.
18,50 ₽ от 500 шт.
14,40 ₽ от 1000 шт.
Канада
На складе 12000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:41 10.02.2021
Упаковка Cut Tape
52,15 ₽ от 1 шт.
26,64 ₽ от 50 шт.
23,81 ₽ от 100 шт.
17,80 ₽ от 500 шт.
14,74 ₽ от 1500 шт.
США
На складе 738 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:54 10.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
54,58 ₽ от 1 шт.
40,88 ₽ от 10 шт.
19,57 ₽ от 100 шт.
17,39 ₽ от 500 шт.
США
На складе 115 шт.
MOQ 87 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
29,23 ₽ от 87 шт.
17,91 ₽ от 100 шт.
США
На складе 115 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:10 09.02.2021
Упаковка Cut Tape
40,42 ₽ от 1 шт.
30,71 ₽ от 10 шт.
30,40 ₽ от 25 шт.
18,63 ₽ от 100 шт.
США
На складе 883 шт.
Обновлено 03:32 08.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 6000 шт.
Обновлено 00:15 05.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 18480 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 6098 шт.
Обновлено 18:59 05.02.2021
Цена по запросу.
Азия 5
В наличии до 6000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 12,00 ₽ до 68,85 ₽
Сингапур
На складе 2150 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:48 09.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
68,85 ₽ от 1 шт.
46,28 ₽ от 10 шт.
21,61 ₽ от 100 шт.
16,80 ₽ от 1000 шт.
14,60 ₽ от 3000 шт.
13,06 ₽ от 9000 шт.
12,77 ₽ от 24000 шт.
12,00 ₽ от 45000 шт.
Китай
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
13,16 ₽ от 3000 шт.
Китай
На складе 5062 шт.
MOQ 285 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
22,41 ₽ от 285 шт.
18,46 ₽ от 690 шт.
17,95 ₽ от 1065 шт.
17,44 ₽ от 1460 шт.
16,81 ₽ от 1895 шт.
15,15 ₽ от 2525 шт.
Малайзия
На складе 160 шт.
Обновлено 03:33 08.02.2021
Цена по запросу.
Израиль
На складе 6000 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor NTJD4105CT1G, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SOT-363
Текущий рейтинг:
630 mA
Continuous Drain Current (Ids):
775 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
270 mW (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
360 mΩ, 510 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
  • NTJD4105CT1G Dual N/P-channel MOSFET Transistor
  • 0.91A
  • 1.1A
  • 8V
  • 20V
  • 6-Pin SOT-363
  • NTJD4105C: Small Signal MOSFET 20V 775mA 220 mOhm Dual Complementary SC-88/SC70-6/SOT-363
  • MOSFETs- Power and Small Signal 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
  • Mosfet, N/p Channel, 20V, 0.63A, Sot-363-6
  • Полярность транзистора: дополнительный канал N и P
  • Напряжение источника стока Vds: 20 В
  • Continuous Drain Current Id:630Ma
  • На сопротивлении Rds (на): 0,29 Ом
  • Монтаж транзистора: поверхностный монтаж Соответствует Rohs: Да

Документы по ON Semiconductor NTJD4105CT1G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 07.03.2006)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor NTJD4105CT1G, сравнение характеристик.

ON Semiconductor NTJS4151PT1G
Цена от 6,88 ₽ до 314,19 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг -3.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.00 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 180 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
Diodes Inc. BSS84DW-7-F
Цена от 2,53 ₽ до 336,53 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг -130 mA.
Continuous Drain Current (Ids) -130 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 6.00 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 50.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -50.0 V.
ON Semiconductor FDG6320C
Цена от 9,68 ₽ до 272,29 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг 220 mA.
Gate Charge 220 pC.
Continuous Drain Current (Ids) 220 mA.
Входная емкость 12.0 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 10.0 Ω, 4.00 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Diodes Inc. BSS8402DW-7-F
Цена от 6,75 ₽ до 343,51 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг 115 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 130 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 10.0 Ω, 4.40 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
ON Semiconductor FDG6321C
Цена от 9,29 ₽ до 56,47 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -25.0 V to 25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг -410 mA.
Gate Charge 1.10 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 500 mA.
Входная емкость 62.0 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 450 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Infineon BSV236SPH6327XTSA1
Цена от 7,26 ₽ до 171,75 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг -1.50 A.
Continuous Drain Current (Ids) 1.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 560 mW (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Size-Length 2.00 mm.
Size-Width 1.25 mm.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
ON Semiconductor FDY2000PZ
Цена от 10,31 ₽ до 136,85 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Continuous Drain Current (Ids) 350 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 630 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 500 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Vishay SI1427EDH-T1-GE3
Цена от 8,79 ₽ до 48,45 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Vishay SI1403CDL-T1-GE3
Цена от 8,98 ₽ до 54,75 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Vishay SI1551DL-T1-E3
Цена от 9,42 ₽ до 265,72 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V to 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Continuous Drain Current (Ids) 300 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 1.90 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.