Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
NTMD3P03R2

Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 30V 3.86A 8-Pin SOIC N

Цена от 23,01 ₽ до 26,78 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor NTMD3P03R2 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 3
В наличии до 187751 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 23,01 ₽ до 26,78 ₽
США
На складе 187751 шт.
MOQ 1527 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
26,78 ₽ от 1527 шт.
26,41 ₽ от 1600 шт.
25,65 ₽ от 3100 шт.
25,08 ₽ от 7700 шт.
24,14 ₽ от 16000 шт.
23,58 ₽ от 77000 шт.
23,01 ₽ от 160000 шт.
США
На складе 187751 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
25,39 ₽ от 1 шт.
24,88 ₽ от 25 шт.
24,38 ₽ от 100 шт.
23,87 ₽ от 500 шт.
23,36 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 5439 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor NTMD3P03R2, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-3.05 A
Continuous Drain Current (Ids):
3.05 A
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
85.0 mΩ
Время нарастания:
16.0 ns
RoHS:
Non-Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-30.0 V
  • Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 30V 3.86A 8-Pin SOIC N
  • MOSFETs- Power and Small Signal 30V 3.05A P-Channel No-Cancel/No-Return

Документы по ON Semiconductor NTMD3P03R2, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(6 страниц)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor NTMD3P03R2, сравнение характеристик.

ON Semiconductor NTMS3P03R2G
Цена от 31,78 ₽ до 36,99 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.05 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.05 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
Время нарастания 16.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
ON Semiconductor NTMS3P03R2
Цена от 18,63 ₽ до 21,68 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.05 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.05 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
Время нарастания 16.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
ON Semiconductor NTMSD3P303R2
Цена от 20,82 ₽ до 86,36 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.05 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.05 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
Время нарастания 16.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
ON Semiconductor NTMSD3P303R2G
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.05 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.05 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
Время нарастания 16.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.