ON Semiconductor
NTMS3P03R2
Power MOSFET 30V 3.05A 85 mOhm Single P-Channel SO-8
Цена от 18,63 ₽ до 21,68 ₽
Наличие ON Semiconductor NTMS3P03R2 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 47009 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 18,63 ₽ до 21,68 ₽
На складе 47009 шт.
MOQ 1886 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
На складе 47009 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
В наличии до 14450 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 265 шт.
Обновлено 03:33 08.02.2021
Цена по запросу.
На складе 14450 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor NTMS3P03R2, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-3.05 A
Continuous Drain Current (Ids):
3.05 A
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.25 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
85.0 mΩ
Время нарастания:
16.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-30.0 V
- Power MOSFET 30V 3.05A 85 mOhm Single P-Channel SO-8
- MOSFETs- Power and Small Signal 30V 3.05A P-Channel No-Cancel/No-Return
- MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
- PFET SO8S 30V 0.085R TR
Документы по ON Semiconductor NTMS3P03R2, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor NTMS3P03R2, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.05 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.05 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
Время нарастания 16.0 ns.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.05 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.05 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
Время нарастания 16.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.05 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.05 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
Время нарастания 16.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.05 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.05 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
Время нарастания 16.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.