ON Semiconductor
NTMS5P02R2
Single P-Channel Enhancement−Mode Power MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ
Цена от 41,64 ₽ до 48,46 ₽
Наличие ON Semiconductor NTMS5P02R2 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 2500 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 41,64 ₽ до 48,46 ₽
На складе 2500 шт.
MOQ 844 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
На складе 2500 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
В наличии до 14450 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 14450 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor NTMS5P02R2, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-10.0 V to 10.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-5.40 A
Continuous Drain Current (Ids):
5.40 A
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.47 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
26.0 mΩ
Время нарастания:
25.0 ns
RoHS:
Non-Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-20.0 V
- Single P-Channel Enhancement−Mode Power MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ
- MOSFETs- Power and Small Signal -20V -5.4A P-Channel No-Cancel/No-Return
- TRANS MOSFET P-CH 20V 7.05A 8SOIC N
Документы по ON Semiconductor NTMS5P02R2, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor NTMS5P02R2, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -10.0 V to 10.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.40 A.
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.47 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 26.0 mΩ.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.