Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
NTMS5P02R2G

NTMS5P02R2G P-channel MOSFET Transistor; 2.7 A; 20 V; 8-Pin SOIC

Цена от 5,18 ₽ до 79,72 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor NTMS5P02R2G на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 10
В наличии до 166209 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 5,18 ₽ до 79,72 ₽
США
На складе 148 шт.
MOQ 26 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
6,96 ₽ от 26 шт.
5,18 ₽ от 100 шт.
США
На складе 148 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:10 09.02.2021
Упаковка Cut Tape
12,53 ₽ от 1 шт.
10,16 ₽ от 10 шт.
7,24 ₽ от 25 шт.
5,39 ₽ от 100 шт.
США
На складе 13450 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:29 08.02.2021
Упаковка Tape & Reel
75,29 ₽ от 1 шт.
61,67 ₽ от 10 шт.
61,67 ₽ от 50 шт.
43,18 ₽ от 100 шт.
31,89 ₽ от 1000 шт.
25,58 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 166209 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
29,29 ₽ от 1 шт.
28,71 ₽ от 25 шт.
28,12 ₽ от 100 шт.
27,54 ₽ от 500 шт.
26,96 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1391 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
69,09 ₽ от 1 шт.
57,57 ₽ от 9 шт.
46,06 ₽ от 41 шт.
32,24 ₽ от 151 шт.
28,79 ₽ от 715 шт.
США
На складе 2443 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Cut Tape
79,72 ₽ от 1 шт.
68,64 ₽ от 10 шт.
65,50 ₽ от 25 шт.
47,53 ₽ от 100 шт.
39,71 ₽ от 500 шт.
33,80 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 15000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 20:07 09.02.2021
37,01 ₽ от 2500 шт.
34,54 ₽ от 15000 шт.
США
На складе 221 шт.
Обновлено 03:32 08.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1695 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1647 шт.
Обновлено 18:59 05.02.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 14450 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 5,95 ₽ до 13,83 ₽
Китай
На складе 148 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
13,83 ₽ от 1 шт.
11,22 ₽ от 10 шт.
8,00 ₽ от 25 шт.
5,95 ₽ от 100 шт.
Гонконг
На складе 14450 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Европа 1
В наличии до 807 шт.
MOQ от 1 шт.
Британия
На складе 807 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:30 09.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor NTMS5P02R2G, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-10.0 V to 10.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-5.40 A
Continuous Drain Current (Ids):
5.40 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.47 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
26.0 mΩ
Время нарастания:
25.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-20.0 V
  • NTMS5P02R2G P-channel MOSFET Transistor
  • 2.7 A
  • 20 В
  • 8-контактный SOIC
  • Single P-Channel Enhancement−Mode Power MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ
  • P-Channel 20 V 26 mOhm 2.5 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8
  • Trans MOSFET P-CH 20V 7.05A 8-Pin SOIC N T/R
  • P CHANNEL MOSFET, -20V, 5.4A, SOIC
  • Тран
  • P CHANNEL MOSFET, -20V, 5.4A, SOIC
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Id постоянного тока утечки: 5,4 А
  • Drain Source Voltage Vds:-20V
  • On Resistance Rds(on):33mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -4,5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ:-900mV
  • MOSFET, P, 20V, SOIC-8
  • Transistor Type:Enhancement
  • Полярность транзистора: P
  • Напряжение, Vds тип .: -20V
  • Current, Id Cont:5.4A
  • Resistance, Rds On:0.033ohm
  • Напряжение, Vgs Rds при измерении: -4,5В
  • Voltage, Vgs th Typ:-0.9V
  • Case Style:SOIC
  • Тип завершения: SMD
  • Power, Pd:7.05W
  • Voltage, Vds Max:20V

Документы по ON Semiconductor NTMS5P02R2G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 06.12.2012)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor NTMS5P02R2G, сравнение характеристик.

ON Semiconductor NTMS5P02R2
Цена от 41,64 ₽ до 48,46 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -10.0 V to 10.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.40 A.
Continuous Drain Current (Ids) 5.40 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.47 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 26.0 mΩ.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.