Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
NTZD5110NT1G

NTZD5110N: Small Signal MOSFET 60V 310mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SOT-563 with ESD Protection

Цена от 5,54 ₽ до 154,31 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor NTZD5110NT1G на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 16
В наличии до 1088930 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 6,56 ₽ до 44,43 ₽
США
На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
6,76 ₽ от 4000 шт.
6,70 ₽ от 8000 шт.
6,63 ₽ от 24000 шт.
6,56 ₽ от 48000 шт.
США
На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
7,04 ₽ от 4000 шт.
6,97 ₽ от 8000 шт.
6,90 ₽ от 24000 шт.
6,83 ₽ от 48000 шт.
США
На складе 32000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
7,61 ₽ от 4000 шт.
7,10 ₽ от 32000 шт.
США
На складе 12000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
8,35 ₽ от 4000 шт.
8,34 ₽ от 4500 шт.
8,14 ₽ от 9000 шт.
7,44 ₽ от 23000 шт.
7,39 ₽ от 45000 шт.
7,33 ₽ от 230000 шт.
7,28 ₽ от 450000 шт.
США
На складе 196000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
12,13 ₽ от 4000 шт.
10,17 ₽ от 6000 шт.
8,90 ₽ от 12000 шт.
8,43 ₽ от 18000 шт.
7,51 ₽ от 30000 шт.
США
На складе 15147 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel
39,99 ₽ от 1 шт.
27,55 ₽ от 10 шт.
27,55 ₽ от 50 шт.
12,89 ₽ от 100 шт.
10,00 ₽ от 1000 шт.
7,66 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 196000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
8,70 ₽ от 4000 шт.
8,31 ₽ от 8000 шт.
8,25 ₽ от 16000 шт.
8,19 ₽ от 24000 шт.
8,13 ₽ от 32000 шт.
8,07 ₽ от 40000 шт.
8,00 ₽ от 400000 шт.
США
На складе 1088930 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
8,70 ₽ от 1 шт.
8,53 ₽ от 25 шт.
8,35 ₽ от 100 шт.
8,18 ₽ от 500 шт.
8,01 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel
9,84 ₽ от 4000 шт.
9,62 ₽ от 8000 шт.
США
На складе 4000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape
44,43 ₽ от 1 шт.
31,66 ₽ от 10 шт.
30,26 ₽ от 25 шт.
15,95 ₽ от 100 шт.
14,13 ₽ от 500 шт.
11,00 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 64 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape
30,69 ₽ от 1 шт.
25,10 ₽ от 10 шт.
13,05 ₽ от 25 шт.
США
На складе 33 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2402 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 68013 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 12320 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 32524 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
Европа 5
В наличии до 7550 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 6,67 ₽ до 154,31 ₽
Европейский союз
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 07:49 23.02.2021
8,28 ₽ от 4000 шт.
7,82 ₽ от 8000 шт.
7,36 ₽ от 16000 шт.
6,90 ₽ от 24000 шт.
6,67 ₽ от 32000 шт.
Польша
На складе 2965 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
19,57 ₽ от 5 шт.
10,56 ₽ от 25 шт.
9,33 ₽ от 100 шт.
8,38 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 7550 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
13,43 ₽ от 50 шт.
Британия
На складе 362 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
154,31 ₽ от 5 шт.
86,97 ₽ от 10 шт.
40,68 ₽ от 100 шт.
29,46 ₽ от 500 шт.
Европейский союз
На складе 200 шт.
Обновлено 00:38 23.02.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 362 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 5,54 ₽ до 65,05 ₽
Япония
На складе 70 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 11:18 23.02.2021
Упаковка Cut Tape
5,54 ₽ от 25 шт.
Сингапур
На складе 362 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
65,05 ₽ от 1 шт.
41,85 ₽ от 10 шт.
18,46 ₽ от 100 шт.
13,73 ₽ от 1000 шт.
10,92 ₽ от 4000 шт.
9,57 ₽ от 8000 шт.
9,38 ₽ от 24000 шт.
8,80 ₽ от 48000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor NTZD5110NT1G, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SOT-666, SOT-563
Continuous Drain Current (Ids):
310 mA, 294 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
N-Channel, Dual N-Channel
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
  • NTZD5110N: Small Signal MOSFET 60V 310mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SOT-563 with ESD Protection
  • NTZD5110NT1G Dual N-channel MOSFET Transistor
  • 0.31 A
  • 60 В
  • 6-Pin SOT-563
  • Dual N-Channel 60 V 1.6 Ohm 250 mW Small Signal MOSFET - SOT-563
  • Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 294mA 6-Pin SOT-563 T/R
  • MOSFETs- Power and Small Signal SMALL SIGNAL MOSFET 60V, 310mA DUAL N-CH
  • Dual N Channel Mosfet, 60V, Sot-563, Full Reel
  • Полярность транзистора: n канал
  • Напряжение источника стока Vds: 60 В
  • Continuous Drain Current Id:310Ma
  • On Resistance Rds(On):1.19Ohm
  • Transistor Mounting:surface Mount
  • Количество контактов: 6 контактов, совместимость с Rohs: Да

Документы по ON Semiconductor NTZD5110NT1G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 17.09.2010)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor NTZD5110NT1G, сравнение характеристик.

ON Semiconductor NTZD3154NT1G
Цена от 4,74 ₽ до 266,53 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -6.00 V to 6.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-666, SOT-563.
Текущий рейтинг 540 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 540 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 250 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 700 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Nexperia NX3020NAKV,115
Цена от 4,01 ₽ до 241,28 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-666.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Полярность Dual N-Channel.
RoHS Compliant.
ON Semiconductor NTZS3151PT1G
Цена от 7,70 ₽ до 336,67 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-666, SOT-563.
Текущий рейтинг -950 mA.
Continuous Drain Current (Ids) -950 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 170 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 195 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
ON Semiconductor FDN308P
Цена от 13,78 ₽ до 286,17 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-666, SOT-563.
Текущий рейтинг -1.50 A.
Gate Charge 3.80 nC.
Continuous Drain Current (Ids) -1.50 A.
Входная емкость 341 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 500 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 86.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 10.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
ON Semiconductor NTZD3152PT1G
Цена от 6,08 ₽ до 239,88 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -6.00 V to 6.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-666, SOT-563.
Текущий рейтинг -430 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 430 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 250 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 1.00 Ω.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
ON Semiconductor NTZD3154NT5G
Цена от 4,34 ₽ до 56,65 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -6.00 V to 6.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-666, SOT-563.
Текущий рейтинг 540 mA.
Gate Charge 2.50 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 540 mA.
Входная емкость 175 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 250 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 700 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Nexperia NX3008PBKV,115
Цена от 4,68 ₽ до 308,61 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-666.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Полярность Dual P-Channel.
RoHS Compliant.
Nexperia NX3008CBKV,115
Цена от 7,36 ₽ до 328,25 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-666.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel, N-Channel.
RoHS Compliant.
ON Semiconductor FDG311N
Цена от 7,68 ₽ до 65,54 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-666, SOT-563.
Текущий рейтинг 1.90 A.
Gate Charge 3.00 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 1.90 A.
Входная емкость 270 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 750 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 115 mΩ.
Время нарастания 9.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.