ON Semiconductor
QSE113
Phototransistor Chip Plastic Silicon NPN Transistor 880nm 2-Pin Side Looker Bulk
Цена от 18,17 ₽ до 118,40 ₽
Наличие ON Semiconductor QSE113 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 1547 шт.
MOQ 36 шт.
Обновлено 17:41 01.03.2021
На складе 1547 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:09 01.03.2021
На складе 1278 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:54 02.03.2021
На складе 1278 шт.
MOQ 286 шт.
Обновлено 17:41 01.03.2021
На складе 21 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:45 01.03.2021
Упаковка Bulk На складе 7500 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:24 01.03.2021
На складе 1278 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
На складе 3500 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:24 01.03.2021
На складе 364 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
На складе 30000 шт.
Обновлено 10:12 02.03.2021
На складе 364 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 03:54 02.03.2021
На складе 364 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1540 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
На складе 6080 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 07:33 02.03.2021
На складе 234 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 2580 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 07:17 02.03.2021
На складе 360 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 07:17 02.03.2021
На складе 293 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:45 01.03.2021
Технические характеристики ON Semiconductor QSE113, атрибуты и параметры.
Напряжение пробоя:
30.0 V
Lead-Free Status:
Lead Free
Длина вывода:
12.7 mm
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Количество каналов:
1
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 100 °C
Operating Voltage:
5.00 V
Выходная мощность:
100 mW
Выходное напряжение:
30.0 V (max)
Упаковка:
Bulk
Пиковая длина волны:
880 nm
Количество выводов:
2
Полярность:
NPN, N-Channel
Потребляемая мощность:
100 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
8.00 µs
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
5.00 V
Угол обзора:
25 °
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
Длина волны:
880 nm
- Phototransistor Chip Plastic Silicon NPN Transistor 880nm 2-Pin Side Looker Bulk
- The QSE113/114 is a silicon phototransistor encapsulated in a wide angle, infrared transparent, black plastic sidelooker package.
- INFRARED PHOTOTRANSISTOR
- Полярность транзистора: NPN
- Wavelength Typ:880nm
- Power Consumption:100mW
- Угол обзора: 25 °
- Transistor Case Style:Side Looking
- Количество контактов: 2
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Current Ic Typ:1.5mA
- External Depth:2.54mm
- External Length / Height:5.08mm
- External Width:4.44mm
- Fall Time tf:8µs
- Half Angle:25°
- Lead Length:12.7mm
- Максимальная рабочая температура: 100 ° C
- Минимальная рабочая температура: -40 ° C
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 100 ° C
- Package / Case:Side Emitting
- Peak Spectral Response Wavelength:880nm
- Peak Wavelength:880nm
- Rise Time:8µs
- Storage Temperature Max:100°C
- Мин. Температура хранения: -40 ° C
- Termination Type:Radial Leaded
- Тип транзистора: Фото
- Voltage Vcc:5V
Документы по ON Semiconductor QSE113, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor QSE113, сравнение характеристик.
Напряжение пробоя 30.0 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Operating Voltage 5.00 V.
Выходное напряжение 30.0 V (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 2.
Полярность NPN, N-Channel.
Потребляемая мощность 100 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 7.00 µs.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.00 V.
Угол обзора 12 °.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Длина волны 880 nm.