Компоненты  »  Интегральные схемы (ИС)  »  Линейные ИС  »  Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы

STMicroelectronics
LM258DT

Двойной операционный усилитель малой мощности, 30 В, 1,1 МГц, серии LM258 - SOIC-8

Цена от 5,69 ₽ до 230,44 ₽
Datasheet

Наличие STMicroelectronics LM258DT на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена

Технические характеристики STMicroelectronics LM258DT, атрибуты и параметры.

Пропускная способность:
1.10 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
2
Количество контуров:
2
Рабочая Температура:
105 °C (max)
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
8
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
600 mV/μs
Supply Current:
2.00 mA (max)
Supply Voltage (DC):
32.0 V
  • Двойной операционный усилитель малой мощности, 30 В, 1,1 МГц, серии LM258 - SOIC-8
  • Операционный усилитель, 2 функции, макс. Смещение 7000 мкВ, двухполярный, PDSO8
  • Маломощные операционные усилители общего назначения 2 3 В ~ 30 В, ¡À1,5 В ~ 15 В 1,1 МГц 0,6 В / мкс SOIC-8_150 мил RoHS
  • Двойной маломощный усилитель на ОУ ± 15 В / 30 В 8-контактный SO N T / R

Документы по STMicroelectronics LM258DT, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(, 06.04.2012)

Товары похожие на STMicroelectronics LM258DT, сравнение характеристик.

STMicroelectronics LM358D
Цена от 6,89 ₽ до 310,39 ₽
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 700 µA.
Supply Voltage (DC) 32.0 V (max).
STMicroelectronics LM2904PT
Цена от 5,14 ₽ до 320,67 ₽
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).
Supply Voltage (DC) 9.00 V.
STMicroelectronics LM358ADT
Цена от 6,97 ₽ до 251,26 ₽
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 700 µA.
Supply Voltage (DC) 32.0 V (max).
STMicroelectronics LM358DT
Цена от 5,54 ₽ до 208,23 ₽
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 700 µA.
Supply Voltage (DC) 32.0 V.
STMicroelectronics LM2904DT
Цена от 5,51 ₽ до 198,51 ₽
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).
Supply Voltage (DC) 32.0 V.
STMicroelectronics LM358PT
Цена от 9,32 ₽ до 281,80 ₽
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Упаковка Tape.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 700 µA.
STMicroelectronics LM258ADT
Цена от 8,95 ₽ до 280,42 ₽
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Входной ток смещения 200 nA (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 105 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 32.0 V.
STMicroelectronics LM258AST
Цена от 9,58 ₽ до 469,21 ₽
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 105 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).
STMicroelectronics LM358AD
Цена от 9,63 ₽ до 310,39 ₽
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 700 µA.
Supply Voltage (DC) 32.0 V (max).
STMicroelectronics LM2904ST
Цена от 7,96 ₽ до 227,66 ₽
Пропускная способность 1.10 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.