Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Texas Instruments
LMV358ID
Dual Low-Voltage Rail-to-Rail Output Operational Amplifier - see LMV358A for upgraded version 8-SOIC -40 to 125
Цена от 15,02 ₽ до 367,68 ₽
Наличие Texas Instruments LMV358ID на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 5294 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:05 10.02.2021
Упаковка Tube На складе 4361 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:29 08.02.2021
Упаковка Tube На складе 11504 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
На складе 926 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Tube На складе 16 шт.
Обновлено 18:17 09.02.2021
На складе 1875 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 271 шт.
MOQ 19 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
На складе 271 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:10 09.02.2021
На складе 3651 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:54 10.02.2021
На складе 12 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 13 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
Цена по запросу.
На складе 40 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 08:27 12.01.2021
На складе 80 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 01:31 09.02.2021
На складе 3929 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 01:31 09.02.2021
На складе 3651 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:24 09.02.2021
На складе 71 шт.
Обновлено 08:28 08.02.2021
Цена по запросу.
На складе 4600 шт.
MOQ 185 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 271 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
На складе 3651 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:48 09.02.2021
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
Упаковка Bulk На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
Упаковка Tube На складе 360 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Texas Instruments LMV358ID, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.00 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
1.00 MHz
Input Offset Drift:
5.00 µV/K
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
2
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 85.0 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
1.00 V/μs
Supply Voltage (DC):
5.50 V
- Dual Low-Voltage Rail-to-Rail Output Operational Amplifier - see LMV358A for upgraded version 8-SOIC -40 to 125
- OP Amp Dual General Purpose Rail to Rail O/P 5.5 Volt 8-Pin SOIC Tube
- Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC Tube
- Integrated Circuit Differential Amplifier LMV358/SO/LMV358ID TEXAS INSTRUMENT SO8
Документы по Texas Instruments LMV358ID, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments LMV358ID, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Выходной ток 60.0 mA.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 1.16 mA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 0.00 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 400 mV/μs.
Supply Current 550 µA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Выходной ток 60.0 mA.
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 1.16 mA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 400 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 680 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Выходной ток 60.0 mA.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 615 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура 0.00 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 16.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 400 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура 105 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 400 mV/μs.
Supply Current 550 µA (max).