Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Texas Instruments
LMV358QD
Dual Low-Voltage Rail-to-Rail Output Operational Amplifier - see LMV358A for upgraded version 8-SOIC -40 to 125
Цена от 29,20 ₽ до 115,99 ₽
Наличие Texas Instruments LMV358QD на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 750 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:05 25.02.2021
Упаковка Tube На складе 1049 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:35 24.02.2021
Упаковка Tube На складе 967 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 24.02.2021
Упаковка Tube На складе 43800 шт.
Обновлено 10:06 24.02.2021
На складе 404 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 35 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 211 шт.
Обновлено 00:57 23.02.2021
Цена по запросу.
На складе 892 шт.
Обновлено 00:56 23.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Texas Instruments LMV358QD, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.00 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
1.00 MHz
Input Offset Drift:
5.00 µV/K
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
2
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
1.00 V/μs
- Dual Low-Voltage Rail-to-Rail Output Operational Amplifier - see LMV358A for upgraded version 8-SOIC -40 to 125
- Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC Tube
- Операционный усилитель (ОУ) IC
- Кол-во усилителей: 2
- Тип операционного усилителя: низкое напряжение
- Gain Bandwidth -3db:1MHz
- Slew Rate:1V/µs
- Мин. Напряжение питания: 2,7 В
- Максимальное напряжение питания: 5,5 В
- No. of Pins:8
- Соответствует RoHS: Да
Документы по Texas Instruments LMV358QD, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments LMV358QD, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Выходной ток 60.0 mA.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 1.16 mA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Выходной ток 60.0 mA.
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 1.16 mA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Выходной ток 60.0 mA.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 615 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 680 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.