Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Texas Instruments
LMV324QD
Четырехканальный низковольтный операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail - см. LMV324A для обновленной версии 14-SOIC -40 до 125
Цена от 26,58 ₽ до 106,62 ₽
Наличие Texas Instruments LMV324QD на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 162 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Tube На складе 17869 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
На складе 190 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 01:31 09.02.2021
Технические характеристики Texas Instruments LMV324QD, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.00 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
1.00 MHz
Input Offset Drift:
5.00 µV/K
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
4
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
14
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
1.00 V/μs
- Четырехканальный низковольтный операционный усилитель с выходом Rail-to-Rail - см. LMV324A для обновленной версии 14-SOIC -40 до 125
- OP Amp Quad GP R-R O/P 5.5V 14-Pin SOIC Tube
- Операционный усилитель (ОУ) IC
- Количество усилителей: 4
- Тип операционного усилителя: низкое напряжение
- Gain Bandwidth -3db:1MHz
- Slew Rate:1V/µs
- Мин. Напряжение питания: 2,7 В
- Максимальное напряжение питания: 5,5 В
- No. of Pins:14
- Соответствует RoHS: Да
Документы по Texas Instruments LMV324QD, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments LMV324QD, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Выходной ток 60.0 mA.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 1.16 mA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Выходной ток 60.0 mA.
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 1.16 mA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 680 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Выходной ток 60.0 mA.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 615 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 5.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.