Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay Siliconix
SI3585DV-T1-GE3

Dual N/p Channel Mosfet, 20V, 1.8A, TSOP

Технические характеристики Vishay Siliconix SI3585DV-T1-GE3, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
1.80 A
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, N-Channel
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
  • DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, 1.8A, TSOP

Документы по Vishay Siliconix SI3585DV-T1-GE3, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Vishay Siliconix SI3585DV-T1-GE3, сравнение характеристик.