Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay Siliconix
SI3812DV-T1

N-Channel MOSFETs 20V 2.4A 1.15

Цена от 72,34 ₽ до 263,07 ₽
Datasheet

Наличие Vishay Siliconix SI3812DV-T1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 2
В наличии до 2370 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 72,34 ₽ до 263,07 ₽
США
На складе 2370 шт.
Обновлено 11:13 12.02.2021
263,07 ₽ от 1 шт.
197,30 ₽ от 3 шт.
164,42 ₽ от 16 шт.
98,65 ₽ от 54 шт.
92,08 ₽ от 177 шт.
85,50 ₽ от 378 шт.
82,21 ₽ от 813 шт.
72,34 ₽ от 1408 шт.
США
На складе 10 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Vishay Siliconix SI3812DV-T1, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
2.40 A
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
830 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
125 mΩ
RoHS:
Non-Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
  • N-Channel MOSFETs 20V 2.4A 1.15
  • МОП-транзистор
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Напряжение истока стока, Vds: 20V
  • Continuous Drain Current, Id:2.4A
  • On-Resistance, Rds(on):125mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение, Vgs: 4,5 В
  • Package/Case:6-TSOP
  • Совместимость с ведущим процессом: Нет Соответствие RoHS: Нет

Документы по Vishay Siliconix SI3812DV-T1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 02.12.2005)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay Siliconix SI3812DV-T1, сравнение характеристик.

Vishay SI3585DV-T1
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Continuous Drain Current (Ids) 2.40 A.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 830 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 125 mΩ.
RoHS Non-Compliant.