Наличие Vishay SI3585DV-T1 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 200 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 200 шт.
Обновлено 15:43 22.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Vishay SI3585DV-T1, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
2.40 A
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
830 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
125 mΩ
RoHS:
Non-Compliant
- MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
- Dual MOSFETs 20V 2.4/1.8A
Документы по Vishay SI3585DV-T1, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Vishay SI3585DV-T1, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Continuous Drain Current (Ids) 2.40 A.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 830 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 125 mΩ.
RoHS Non-Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.