Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay Siliconix
SI6993DQ-T1-GE3

Trans Mosfet P-ch 30V 3.6A 8-PIN TSSOP T/r
Datasheet

Наличие Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-GE3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 1
В наличии до 2659 шт.
MOQ от 100 шт.
США
На складе 2659 шт.
Обновлено 16:53 04.03.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-GE3, атрибуты и параметры.

Continuous Drain Current (Ids):
-4.70 A
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, Dual P-Channel
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-30.0 V
  • Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-Pin TSSOP T/R
  • Dual P Channel Mosfet, -30V, TSSOP, Full Reel
  • DUAL -30V 5A 31mOhm TSSOP-8 RoHSconf

Документы по Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-GE3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(6 страниц, 29.07.2008)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-GE3, сравнение характеристик.

Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-E3
Цена от до
Continuous Drain Current (Ids) -4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -30.0 V.
International Rectifier IRF7321D2PBF
Цена от до
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -4.90 A.
Continuous Drain Current (Ids) -4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF7321D2.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.