Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay
SI3442BDV-T1-E3

Single N-Channel 20 V 0.057 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6

Цена от 13,50 ₽ до 206,49 ₽
Datasheet

Наличие Vishay SI3442BDV-T1-E3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 10
В наличии до 14374 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 15,20 ₽ до 68,02 ₽
США
На складе 8209 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
41,45 ₽ от 1 шт.
34,54 ₽ от 15 шт.
27,64 ₽ от 68 шт.
19,34 ₽ от 251 шт.
17,27 ₽ от 1191 шт.
15,20 ₽ от 5334 шт.
США
На складе 12000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Tape & Reel
22,88 ₽ от 3000 шт.
21,72 ₽ от 6000 шт.
20,17 ₽ от 9000 шт.
19,76 ₽ от 30000 шт.
США
На складе 5291 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:29 08.02.2021
Упаковка Tape & Reel
63,11 ₽ от 1 шт.
51,26 ₽ от 10 шт.
51,26 ₽ от 50 шт.
37,64 ₽ от 100 шт.
24,25 ₽ от 1000 шт.
20,48 ₽ от 10000 шт.
Канада
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:41 10.02.2021
Упаковка Tape & Reel
28,34 ₽ от 3000 шт.
27,21 ₽ от 6000 шт.
25,51 ₽ от 9000 шт.
24,38 ₽ от 12000 шт.
23,24 ₽ от 15000 шт.
США
На складе 14374 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Cut Tape
67,54 ₽ от 1 шт.
58,02 ₽ от 10 шт.
54,30 ₽ от 25 шт.
40,33 ₽ от 100 шт.
31,49 ₽ от 500 шт.
25,60 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 20:07 09.02.2021
31,91 ₽ от 3000 шт.
29,79 ₽ от 6000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 20:07 09.02.2021
30,59 ₽ от 3000 шт.
Канада
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:41 10.02.2021
Упаковка Cut Tape
68,02 ₽ от 1 шт.
48,18 ₽ от 50 шт.
45,35 ₽ от 100 шт.
39,11 ₽ от 500 шт.
35,71 ₽ от 1500 шт.
США
На складе 11 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:10 09.02.2021
Упаковка Cut Tape
54,22 ₽ от 1 шт.
51,99 ₽ от 10 шт.
США
На складе 2762 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 3000 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 21,97 ₽ до 38,68 ₽
Европейский союз
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:36 10.02.2021
38,68 ₽ от 3000 шт.
34,35 ₽ от 6000 шт.
32,18 ₽ от 12000 шт.
30,94 ₽ от 18000 шт.
25,68 ₽ от 24000 шт.
23,67 ₽ от 30000 шт.
21,97 ₽ от 300000 шт.
Германия
На складе 2325 шт.
Обновлено 08:28 08.02.2021
Цена по запросу.
Швеция
На складе 975 шт.
Обновлено 10:29 10.02.2021
Цена по запросу.
Азия 3
В наличии до 15132 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 13,50 ₽ до 206,49 ₽
Китай
На складе 15132 шт.
MOQ 320 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
19,99 ₽ от 320 шт.
16,42 ₽ от 780 шт.
15,92 ₽ от 1200 шт.
15,53 ₽ от 1640 шт.
15,02 ₽ от 2120 шт.
13,50 ₽ от 2835 шт.
Япония
На складе 3587 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:32 05.02.2021
206,49 ₽ от 1 шт.
147,49 ₽ от 10 шт.
67,84 ₽ от 50 шт.
53,10 ₽ от 100 шт.
41,30 ₽ от 500 шт.
35,39 ₽ от 1000 шт.
30,97 ₽ от 2000 шт.
29,50 ₽ от 4000 шт.
Китай
На складе 11 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
52,03 ₽ от 1 шт.
56,29 ₽ от 10 шт.

Технические характеристики Vishay SI3442BDV-T1-E3, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
3.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
6
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
20.0 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
90.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • Single N-Channel 20 V 0.057 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
  • Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
  • MOSFET, N, TSOP
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 3A
  • Drain Source Voltage Vds:2.5V
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 70 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,8 В
  • Power Dissipation Pd:860mW
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TSOP
  • Количество контактов: 6
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Base Number:3442
  • Максимальный ток Id: 3A
  • Output Current Max:860mA
  • Упаковка / коробка: TSOP
  • Power Dissipation Pd:860mW
  • Power Dissipation Pd:20mW
  • Импульсный ток Idm: 20A
  • Тип завершения: SMD
  • Напряжение Vds Typ: 20 В
  • Максимальное напряжение Vgs: 12 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 4,5 В

Документы по Vishay SI3442BDV-T1-E3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 29.07.2008)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay SI3442BDV-T1-E3, сравнение характеристик.

ON Semiconductor FDN339AN
Цена от 10,46 ₽ до 298,83 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Текущий рейтинг 3.00 A.
Gate Charge 7.00 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 3.00 A.
Входная емкость 700 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 500 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 29.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 10.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor FDC6401N
Цена от 13,42 ₽ до 349,10 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SSOT.
Текущий рейтинг 3.00 A.
Gate Charge 3.30 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 3.00 A.
Входная емкость 324 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 960 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 70.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 7.00 ns (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Vishay SI3588DV-T1-E3
Цена от 38,00 ₽ до 103,63 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Continuous Drain Current (Ids) 3.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 830 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.