Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay
SI3900DV-T1-E3

Dual N-Channel 20 V 0.125 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6

Цена от 23,92 ₽ до 86,36 ₽
Datasheet

Наличие Vishay SI3900DV-T1-E3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 11
В наличии до 33529 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 23,92 ₽ до 86,36 ₽
США
На складе 33000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Tape & Reel
26,76 ₽ от 3000 шт.
25,35 ₽ от 6000 шт.
23,92 ₽ от 9000 шт.
США
На складе 33529 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Cut Tape
70,86 ₽ от 1 шт.
61,01 ₽ от 10 шт.
58,19 ₽ от 25 шт.
42,25 ₽ от 100 шт.
35,30 ₽ от 500 шт.
30,04 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 281 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
86,36 ₽ от 1 шт.
71,97 ₽ от 8 шт.
57,57 ₽ от 33 шт.
40,30 ₽ от 121 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 16 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
53,48 ₽ от 16 шт.
52,97 ₽ от 25 шт.
43,06 ₽ от 100 шт.
42,63 ₽ от 250 шт.
42,25 ₽ от 500 шт.
41,86 ₽ от 1000 шт.
41,49 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 13877 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:29 08.02.2021
Упаковка Tape & Reel
66,43 ₽ от 1 шт.
54,92 ₽ от 10 шт.
54,92 ₽ от 50 шт.
44,40 ₽ от 100 шт.
43,07 ₽ от 1000 шт.
43,07 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:10 09.02.2021
Упаковка Cut Tape
66,67 ₽ от 1 шт.
55,62 ₽ от 10 шт.
55,09 ₽ от 25 шт.
44,78 ₽ от 100 шт.
44,33 ₽ от 250 шт.
43,94 ₽ от 500 шт.
43,54 ₽ от 1000 шт.
43,15 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
47,16 ₽ от 3000 шт.
46,80 ₽ от 6000 шт.
46,43 ₽ от 12000 шт.
46,06 ₽ от 18000 шт.
45,69 ₽ от 24000 шт.
45,32 ₽ от 30000 шт.
44,95 ₽ от 300000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 03:54 10.02.2021
58,61 ₽ от 3000 шт.
57,00 ₽ от 6000 шт.
54,92 ₽ от 12000 шт.
53,54 ₽ от 18000 шт.
52,28 ₽ от 30000 шт.
США
На складе 6013 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2310 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 30492 шт.
Обновлено 18:59 05.02.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 3000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 47,65 ₽ до 76,14 ₽
Китай
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
76,14 ₽ от 1 шт.
67,00 ₽ от 10 шт.
62,94 ₽ от 25 шт.
49,45 ₽ от 100 шт.
56,24 ₽ от 250 шт.
53,38 ₽ от 500 шт.
50,51 ₽ от 1000 шт.
47,65 ₽ от 3000 шт.
Малайзия
На складе 823 шт.
Обновлено 03:33 08.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Vishay SI3900DV-T1-E3, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
2.40 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
830 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
200 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
  • Dual N-Channel 20 V 0.125 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
  • Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 2A 6-Pin TSOP T/R
  • Транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Напряжение истока стока, Vds: 20V
  • Continuous Drain Current, Id:2400mA
  • On Resistance, Rds(on):0.2ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V
  • Соответствует RoHS: Да
  • MOSFET, DUAL N CH, 20V, 0.1OHM, 2A, TSOP
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Id постоянного тока стока: 2A
  • Напряжение источника стока Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on):0.1ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
  • Power Dissipation Pd:830mW
  • Минимальная рабочая температура: -55 ° C
  • Максимальная рабочая температура: 150 ° C
  • Transistor Case Style:TSOP
  • Количество контактов: 6
  • MSL:-

Документы по Vishay SI3900DV-T1-E3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 29.07.2008)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay SI3900DV-T1-E3, сравнение характеристик.

Infineon IRF7507TRPBF
Цена от 19,84 ₽ до 400,76 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Continuous Drain Current (Ids) 2.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Roll, Reel.
Part Family IRF7507.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 270 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Diodes Inc. ZXMD63N02XTA
Цена от 37,31 ₽ до 271,20 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс MSOP.
Текущий рейтинг 2.40 A.
Gate Charge 6.00 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 2.40 A.
Входная емкость 350 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.04 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 150 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.10 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Diodes Inc. ZXMD63N02XTC
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс MSOP.
Текущий рейтинг 2.40 A.
Gate Charge 6.00 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 2.40 A.
Входная емкость 350 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.04 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 150 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.10 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.