NXP Semiconductors
MC908QB8VDWE
Microcontrollers - MCU 8-bit Microcontrollers - MCU CONSUMER NITRON 908QB8
Цена от 315,44 ₽ до 373,85 ₽
Наличие NXP Semiconductors MC908QB8VDWE на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 4078 шт.
MOQ 114 шт.
Обновлено 03:49 26.02.2021
На складе 4078 шт.
Обновлено 09:56 26.02.2021
На складе 4083 шт.
Обновлено 08:25 26.02.2021
Упаковка Tube Цена по запросу.
На складе 9455 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики NXP Semiconductors MC908QB8VDWE, атрибуты и параметры.
Время доступа:
8.00 µs
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Clock Speed:
8.00 MHz (max), 8.00 MHz
Основная архитектура:
HC08
Halogen Free Status:
Halogen Free
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Surface Mount
Number of I/O Pins:
13
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 105 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
16
RAM Memory Size:
256 B
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 5.00 V
- Microcontrollers - MCU 8-bit Microcontrollers - MCU CONSUMER NITRON 908QB8
- MCU 8-bit HC08 CISC 8KB Flash 16-Pin SOIC W Rail
- MICROCONTROLLER, 8 BIT, HC08/S08
Документы по NXP Semiconductors MC908QB8VDWE, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на NXP Semiconductors MC908QB8VDWE, сравнение характеристик.
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс LQFP.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 26.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tray.
Количество выводов 32.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.30 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz, 32.0 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 8000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 13.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 8000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 13.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 13.
Рабочая Температура -40.0 °C to 105 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 256 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс LQFP.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 26.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tray.
Количество выводов 32.
RAM Memory Size 256 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.30 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 8192 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 26.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 28.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.30 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 13.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
RAM Memory Size 256 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 5.00 V.
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс LQFP.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 26.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 32.
RAM Memory Size 256 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.30 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Размер памяти 8192 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 26.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 20.
RAM Memory Size 256 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 5.00 V.
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 8.00 MHz (max), 8.00 MHz.
Основная архитектура HC08.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Number of I/O Pins 23.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 20.
RAM Memory Size 256 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.30 V (max), 2.70 V (min).