Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDS8884

N-канал 30 В, 23 мОм, 13 нКл., Поверхностный монтаж, PowerTrench Mosfet - SOIC-8

Цена от 5,69 ₽ до 364,72 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDS8884 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 19
В наличии до 182952 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 5,69 ₽ до 88,86 ₽
США
На складе 146 шт.
MOQ 114 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
5,69 ₽ от 114 шт.
США
На складе 146 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
9,52 ₽ от 1 шт.
7,49 ₽ от 10 шт.
5,91 ₽ от 100 шт.
США
На складе 356 шт.
Обновлено 18:36 23.02.2021
9,66 ₽ от 1 шт.
США
На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
17,89 ₽ от 2500 шт.
16,74 ₽ от 5000 шт.
15,58 ₽ от 12500 шт.
15,36 ₽ от 25000 шт.
США
На складе 4218 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel
56,65 ₽ от 1 шт.
44,99 ₽ от 10 шт.
44,99 ₽ от 50 шт.
33,43 ₽ от 100 шт.
23,88 ₽ от 1000 шт.
21,10 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel
23,95 ₽ от 2500 шт.
22,73 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 10000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
25,41 ₽ от 2500 шт.
23,72 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 10000 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
28,75 ₽ от 1 шт.
28,18 ₽ от 25 шт.
27,60 ₽ от 100 шт.
27,03 ₽ от 500 шт.
26,45 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 4365 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape
71,09 ₽ от 1 шт.
60,76 ₽ от 10 шт.
56,83 ₽ от 25 шт.
42,22 ₽ от 100 шт.
32,96 ₽ от 500 шт.
26,79 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 160 шт.
MOQ 40 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
42,68 ₽ от 40 шт.
27,65 ₽ от 100 шт.
США
На складе 160 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape
56,16 ₽ от 1 шт.
44,82 ₽ от 10 шт.
44,38 ₽ от 25 шт.
28,75 ₽ от 100 шт.
США
На складе 2337 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
58,92 ₽ от 5 шт.
50,02 ₽ от 10 шт.
34,66 ₽ от 100 шт.
Канада
На складе 8 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
88,86 ₽ от 1 шт.
США
На складе 2565 шт.
Обновлено 23:05 18.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 894 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 35 шт.
Обновлено 22:06 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 239 шт.
Обновлено 15:43 22.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 58 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 182952 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
Европа 6
В наличии до 2464 шт.
MOQ от 3 шт.
Цена от 19,49 ₽ до 364,72 ₽
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
33,24 ₽ от 3 шт.
28,66 ₽ от 25 шт.
22,93 ₽ от 100 шт.
20,63 ₽ от 500 шт.
19,49 ₽ от 2500 шт.
Британия
На складе 830 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
57,27 ₽ от 10 шт.
Британия
На складе 200 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
57,27 ₽ от 10 шт.
Британия
На складе 2464 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
364,72 ₽ от 5 шт.
252,50 ₽ от 10 шт.
178,15 ₽ от 100 шт.
119,24 ₽ от 500 шт.
103,81 ₽ от 2500 шт.
102,40 ₽ от 7500 шт.
102,40 ₽ от 20000 шт.
101,00 ₽ от 37500 шт.
Швеция
На складе 699 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
Британия
На складе 380 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 13500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 23,78 ₽ до 73,75 ₽
Сингапур
На складе 2337 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
73,75 ₽ от 1 шт.
58,38 ₽ от 10 шт.
41,18 ₽ от 100 шт.
33,73 ₽ от 500 шт.
27,45 ₽ от 1000 шт.
23,78 ₽ от 2500 шт.
Китай
На складе 160 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
65,09 ₽ от 1 шт.
47,39 ₽ от 10 шт.
46,65 ₽ от 25 шт.
31,83 ₽ от 100 шт.
Китай
На складе 3136 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
49,23 ₽ от 1 шт.
37,45 ₽ от 10 шт.
35,36 ₽ от 30 шт.
33,29 ₽ от 100 шт.
32,36 ₽ от 500 шт.
31,90 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 13500 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FDS8884, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
8.50 A
Gate Charge:
13.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
8.50 A
Входная емкость:
635 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • N-канал 30 В, 23 мОм, 13 нКл., Поверхностный монтаж, PowerTrench Mosfet - SOIC-8
  • N-канальный МОП-транзистор PowerTrench® 30 В, 8,5 А, 23 мОм
  • Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-контактный SOIC N T / R
  • This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed.
  • МОП-транзистор, N, SO-8
  • Полярность транзистора: N
  • Максимальный ток Id: 8,5 А
  • Напряжение источника стока Vds: 30 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 23 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Тип корпуса транзистора: SO
  • Количество контактов: 8
  • SVHC: Нет SVHC (18 июня 2010 г.)
  • Постоянный ток утечки, Id: 8,5 А
  • Упаковка / ящик: SO-8 (SOIC-8)
  • Тип завершения: SMD
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,7 В
  • Тип транзистора: PowerTrench
  • Типовое напряжение Vds: 30 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по ON Semiconductor FDS8884, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(6 страниц, 01.03.2006)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor FDS8884, сравнение характеристик.

ON Semiconductor FDC645N
Цена от 13,63 ₽ до 295,99 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SSOT.
Текущий рейтинг 5.50 A.
Gate Charge 13.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 5.50 A.
Входная емкость 1.46 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.60 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 30.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 9.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
ON Semiconductor FDS8984
Цена от 17,33 ₽ до 399,79 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 7.00 A.
Gate Charge 13.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 7.00 mA.
Входная емкость 635 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 1.60 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 19.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 18.0 ns (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
ON Semiconductor FDD6690A
Цена от 22,61 ₽ до 778,54 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 46.0 A.
Gate Charge 13.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 46.0 A.
Входная емкость 1.23 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 56.0 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 12.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 7.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.