Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP601-E/SN на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 1000 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 12:21 27.02.2021
Упаковка Bulk На складе 1019 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 1000 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 09:55 03.03.2021
На складе 58 шт.
MOQ 15 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 58 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
На складе 1000 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
Технические характеристики Microchip MCP601-E/SN, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
2.80 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
75.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
2.80 MHz
Input Offset Drift:
2.50 µV/K
Input Offset Voltage:
2.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
1
Количество контуров:
1
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
80.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
2.30 V/μs
Supply Current:
325 µA (max)
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 2.70 V (min)
- Одиночный усилитель малой мощности R-R O / P 6V Автомобильный 8-контактный ламповый SOIC N
- MCP601 Series 6 V 2.8 MHz 2.3 V/µs Single Supply CMOS Op Amps - SOIC-8
- Op Amplifier 2.8MHz 230uA RRO 2.7V SOIC8
- OP AMP, CMOS, SINGLE, 2.7V, 8-SOIC
- Тип операционного усилителя: CMOS
- Кол-во усилителей: 1
- Bandwidth:2.8MHz
- Slew Rate:2.3V/µs
- Supply Voltage Range:2.7V to 6V
- Стиль корпуса усилителя: SOIC
- Количество контактов: 8
- SVHC: Нет SVHC (15 декабря 2010 г.)
- Base Number:601
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
Документы по Microchip MCP601-E/SN, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP601-E/SN, сравнение характеристик.
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 62.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 1.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 62.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 1.50 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Пропускная способность 2.80 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 75.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 2.80 MHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 2.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 80.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 325 µA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).