Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Fairchild Semiconductor
FGP30N6S2D

Igbt 600V 45A 167W TO220AB

Наличие Fairchild Semiconductor FGP30N6S2D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Andel Nordic
На складе 306 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
Corohmni
На складе 35 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
Kenton Components
На складе 650 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Fairchild Semiconductor FGP30N6S2D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
45.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
167 W
Время нарастания:
10.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • IGBT 600V 45A 167W TO220AB
  • IGBTs Comp, 600V, N-Ch
  • Контакт для деталей
  • IGBT, N, TO-220
  • Тип транзистора: IGBT
  • Полярность транзистора: N
  • Current Ic Continuous a Max:45A
  • Voltage, Vce Sat Max:2.5V
  • Рассеиваемая мощность: 167 Вт
  • Стиль корпуса: TO-220AB
  • Alternate Case Style:TO-263
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current, Icm Pulsed:108A
  • Количество контактов: 3
  • Power, Pd:167W
  • Температура, ток: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Time, Fall:53ns
  • Time, Fall Typ:53ns
  • Time, Rise:10ns
  • Транзисторы, Кол-во: 1

Документы по Fairchild Semiconductor FGP30N6S2D, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Fairchild Semiconductor FGP30N6S2D, сравнение характеристик.