Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG12N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 189,64 ₽ до 220,73 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG12N60A4 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet
На складе 1294 шт.
MOQ 186 шт.
Обновлено 02:51 17.02.2021
220,73 ₽ от 186 шт.
217,62 ₽ от 190 шт.
211,40 ₽ от 380 шт.
206,74 ₽ от 930 шт.
198,96 ₽ от 1900 шт.
194,30 ₽ от 9300 шт.
189,64 ₽ от 19000 шт.
Rochester Electronics
На складе 1294 шт.
Обновлено 09:47 17.02.2021
209,25 ₽ от 1 шт.
205,07 ₽ от 25 шт.
200,87 ₽ от 100 шт.
196,69 ₽ от 500 шт.
192,51 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG12N60A4, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
54.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Рассеяние мощности:
167 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
8.00 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • IGBT 600V 54A 167W TO247
  • The HGTP12N60A4, HGTG12N60A4 and HGT1S12N60A4S9A are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies.

Документы по ON Semiconductor HGTG12N60A4, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление о достижении
(2 страницы, 20.12.2012)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG12N60A4, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG12N60A4D
Цена от 131,22 ₽ до 2 167,18 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTP12N60A4D
Цена от 125,34 ₽ до 2 042,15 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGT1S12N60A4DS
Цена от 344,03 ₽ до 433,85 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Рассеяние мощности 167 W.
RoHS Compliant.
ON Semiconductor FGH30N6S2D
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
Время нарастания 17.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Intersil HGTP12N60A4D
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Fairchild Semiconductor FGP30N6S2D
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
Время нарастания 10.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Fairchild Semiconductor FGP30N6S2
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
Время нарастания 10.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.