Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGT1S12N60A4DS

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

Цена от 342,79 ₽ до 432,29 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGT1S12N60A4DS на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet
На складе 6400 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
398,99 ₽ от 800 шт.
393,37 ₽ от 1600 шт.
382,13 ₽ от 3200 шт.
373,70 ₽ от 4800 шт.
359,65 ₽ от 6400 шт.
351,22 ₽ от 8000 шт.
342,79 ₽ от 80000 шт.
Rochester Electronics
На складе 2395 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
397,13 ₽ от 1 шт.
389,19 ₽ от 25 шт.
381,25 ₽ от 100 шт.
373,30 ₽ от 500 шт.
365,36 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 6400 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
432,29 ₽ от 800 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGT1S12N60A4DS, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Рассеяние мощности:
167 W
RoHS:
Compliant
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
  • HGT1S12N60A4DS Series 600 V 54 A SMT N-Channel IGBT - TO-263AB
  • IGBT
  • Тип транзистора: IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Collector Current, Ic:54A
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.7V
  • Power Dissipation, Pd:167W
  • Package/Case:TO-263AB
  • Соответствует RoHS: Да
  • The HGT1S12N60A4DS combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.

Документы по ON Semiconductor HGT1S12N60A4DS, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 08.11.2017)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)

Товары похожие на ON Semiconductor HGT1S12N60A4DS, сравнение характеристик.

STMicroelectronics STGD7NC60HT4
Цена от 83,81 ₽ до 1 379,81 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 7.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Рассеяние мощности 70.0 W (max).
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGB14NC60KDT4
Цена от 67,87 ₽ до 196,91 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 25.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 80.0 W.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGB7NC60HDT4
Цена от 48,48 ₽ до 480,84 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 14.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 80.0 W (max).
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGB6NC60HDT4
Цена от 47,04 ₽ до 149,42 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 15.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 80.0 W (max).
Время нарастания 5.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRGS4B60KD1PBF
Цена от 82,45 ₽ до 1 358,91 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 11.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRGS4B60KD1.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 63.0 W.
Время нарастания 18.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRG4RC10SDTRPBF
Цена от 71,12 ₽ до 105,37 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Part Family IRG4RC10SD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 38.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 32.0 ns.
RoHS Compliant.
International Rectifier IRG4RC10KDTRPBF
Цена от 99,79 ₽ до 108,47 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Roll, Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 38.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 24.0 ns.
RoHS Compliant.
Infineon IRGR3B60KD2PBF
Цена от 55,78 ₽ до 169,96 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGR3B60KD2.
Количество выводов 3.
Рассеяние мощности 52.0 W.
RoHS Compliant.
ON Semiconductor HGT1S20N60A4S9A
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGB3NB60SDT4
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 3.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -60.0 °C to 175 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 70.0 W.
Время нарастания 150 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.