Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

STMicroelectronics
STGB3NB60SDT4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Datasheet

Наличие STMicroelectronics STGB3NB60SDT4 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Kenton Components
На складе 200 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.
Corohmni
На складе 60 шт.
Обновлено 16:42 28.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики STMicroelectronics STGB3NB60SDT4, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
3.00 A
Continuous Drain Current (Ids):
3.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-60.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
70.0 W
Время нарастания:
150 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
600 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
  • IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 600 Volt 3 Amp
  • IGBT, SMD, 600V, 3A, D2-PAK
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:6A
  • Collector Emitter Voltage Vces:1.5V
  • Рассеиваемая мощность Pd: 70 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Operating Temperature Range:-60°C to +175°C
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:6A
  • Fall Time tf:720ns
  • Package / Case:D2-PAK
  • Power Dissipation Max:70W
  • Рассеиваемая мощность Pd: 70 Вт
  • Pulsed Current Icm:25A
  • Rise Time:150ns
  • Тип завершения: SMD
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V

Документы по STMicroelectronics STGB3NB60SDT4, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 24.02.2010)

Товары похожие на STMicroelectronics STGB3NB60SDT4, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 300,19 ₽ до 3 431,18 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 220,85 ₽ до 3 140,64 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3
Цена от 173,76 ₽ до 3 707,89 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRGP20B60PDPBF
Цена от 229,94 ₽ до 794,96 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP20B60PD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 220 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG40N60B3
Цена от 241,56 ₽ до 7 145,99 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGP7NC60HD
Цена от 67,83 ₽ до 228,37 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 14.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 14.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 80.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 7.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF10NC60KD
Цена от 56,30 ₽ до 1 003,07 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF14NC60KD
Цена от 53,29 ₽ до 1 113,75 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 11.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 28.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW30NC60WD
Цена от 157,36 ₽ до 2 435,03 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGE200NB60S
Цена от 2 061,63 ₽ до 17 335,76 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 150 A.
Continuous Drain Current (Ids) 200 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole, Screw.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 4.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 600 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 112 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG12N60A4D
Цена от 131,03 ₽ до 2 158,32 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.