Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IRG4RC10SDTRPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R

Цена от 71,12 ₽ до 105,37 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRG4RC10SDTRPBF на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet
На складе 4000 шт.
MOQ 491 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
84,84 ₽ от 491 шт.
81,95 ₽ от 500 шт.
79,61 ₽ от 990 шт.
77,85 ₽ от 2500 шт.
74,93 ₽ от 5000 шт.
73,03 ₽ от 25000 шт.
71,12 ₽ от 50000 шт.
Rochester Electronics
На складе 4000 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
78,80 ₽ от 1 шт.
77,22 ₽ от 25 шт.
75,65 ₽ от 100 шт.
74,07 ₽ от 500 шт.
72,49 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 1183 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
91,77 ₽ от 8 шт.
89,16 ₽ от 10 шт.
89,10 ₽ от 25 шт.
89,04 ₽ от 50 шт.
88,96 ₽ от 100 шт.
88,91 ₽ от 250 шт.
88,84 ₽ от 500 шт.
88,78 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 1183 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
Упаковка Cut Tape
95,44 ₽ от 1 шт.
92,73 ₽ от 10 шт.
92,66 ₽ от 25 шт.
92,60 ₽ от 50 шт.
92,52 ₽ от 100 шт.
92,47 ₽ от 250 шт.
92,40 ₽ от 500 шт.
92,33 ₽ от 1000 шт.
Arrow.cn
На складе 1183 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
105,37 ₽ от 1 шт.
102,43 ₽ от 10 шт.
102,34 ₽ от 25 шт.
102,24 ₽ от 50 шт.
102,14 ₽ от 100 шт.
102,05 ₽ от 250 шт.
101,95 ₽ от 500 шт.
101,85 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики Infineon IRG4RC10SDTRPBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Part Family:
IRG4RC10SD
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
38.0 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
32.0 ns
RoHS:
Compliant
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R
  • 600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a D-Pak package
  • N-Channel 600 V 16 nC Insulated Gate Bipolar Transistor Surface Mount - TO-252, DPAKCOPAK-3, RoHS
  • Target Applications: Lighting HID
  • PFC
  • STANDARD SPEED COPACK IGBT W/ULT
  • IGBT, COPAK, D-PAK
  • Тип транзистора: IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Напряжение, В: 600 В
  • Current Ic Continuous a Max:14A
  • Voltage, Vce Sat Max:1.1V
  • Power Dissipation:38W
  • Case Style:D-PAK
  • Тип завершения: SMD
  • Alternate Case Style:TO-252
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current, Icm Pulsed:18A
  • Power, Pd:38W
  • Time, Rise:32ns

Документы по Infineon IRG4RC10SDTRPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(11 страниц, 04.07.2007)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)

Товары похожие на Infineon IRG4RC10SDTRPBF, сравнение характеристик.

Infineon IRGP20B60PDPBF
Цена от 229,45 ₽ до 793,24 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP20B60PD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 220 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3D
Цена от 313,21 ₽ до 4 014,01 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Рассеяние мощности 208 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRGP50B60PD1PBF
Цена от 441,62 ₽ до 4 710,88 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP50B60PD1.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 390 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 10.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 263,65 ₽ до 3 456,51 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 220,37 ₽ до 3 163,82 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3
Цена от 252,73 ₽ до 3 735,26 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW39NC60VD
Цена от 164,49 ₽ до 3 275,32 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG40N60B3
Цена от 241,03 ₽ до 7 198,73 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW20NC60VD
Цена от 133,75 ₽ до 2 843,25 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF10NC60KD
Цена от 56,18 ₽ до 1 010,47 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.