Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG30N60B3D

IGBT Single Transistor, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 RoHS Compliant: Yes

Цена от 316,94 ₽ до 3 993,23 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG30N60B3D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Verical
На складе 2310 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
710,85 ₽ от 30 шт.
589,49 ₽ от 100 шт.
520,14 ₽ от 500 шт.
485,78 ₽ от 1000 шт.
Avnet
На складе 1800 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 03:22 05.03.2021
568,99 ₽ от 450 шт.
560,98 ₽ от 900 шт.
544,95 ₽ от 1800 шт.
532,93 ₽ от 2700 шт.
512,90 ₽ от 3600 шт.
500,88 ₽ от 4500 шт.
488,85 ₽ от 45000 шт.
Verical
На складе 23 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
512,60 ₽ от 2 шт.
Verical
На складе 900 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
648,45 ₽ от 450 шт.
572,15 ₽ от 500 шт.
516,19 ₽ от 1000 шт.
Rochester Electronics
На складе 430 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
566,35 ₽ от 1 шт.
555,02 ₽ от 25 шт.
543,70 ₽ от 100 шт.
532,37 ₽ от 500 шт.
521,05 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 23 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
533,11 ₽ от 1 шт.
Mouser
На складе 360 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube
723,67 ₽ от 1 шт.
624,28 ₽ от 10 шт.
624,28 ₽ от 50 шт.
568,44 ₽ от 100 шт.
549,46 ₽ от 1000 шт.
549,46 ₽ от 10000 шт.
Digi-Key
На складе 1414 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tube
971,60 ₽ от 1 шт.
833,12 ₽ от 10 шт.
775,98 ₽ от 25 шт.
694,29 ₽ от 100 шт.
612,61 ₽ от 500 шт.
551,35 ₽ от 1000 шт.
Quest
На складе 3 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
940,77 ₽ от 1 шт.
627,18 ₽ от 2 шт.
Newark
На складе 476 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:26 05.03.2021
953,55 ₽ от 1 шт.
817,66 ₽ от 10 шт.
761,91 ₽ от 25 шт.
721,26 ₽ от 50 шт.
681,77 ₽ от 100 шт.
Touchstone Systems
На складе 2250 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
One Stop Electro
На складе 590 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Aionx
На складе 5625 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
TME
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
523,24 ₽ от 1 шт.
471,38 ₽ от 3 шт.
398,77 ₽ от 10 шт.
349,21 ₽ от 30 шт.
316,94 ₽ от 120 шт.
Farnell
На складе 483 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
3 993,23 ₽ от 1 шт.
3 556,47 ₽ от 5 шт.
3 112,78 ₽ от 10 шт.
2 974,13 ₽ от 50 шт.
2 835,47 ₽ от 100 шт.
2 752,28 ₽ от 250 шт.
Avnet Europe
На складе 150 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:22 05.03.2021
Цена по запросу.
Win Source Electronics
На складе 510 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
675,15 ₽ от 10 шт.
557,00 ₽ от 24 шт.
540,05 ₽ от 40 шт.
523,22 ₽ от 50 шт.
506,40 ₽ от 65 шт.
455,67 ₽ от 85 шт.
Chip One Stop Japan
На складе 3 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:29 05.03.2021
Упаковка Tube
550,04 ₽ от 1 шт.
element14 APAC
На складе 476 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
928,08 ₽ от 1 шт.
799,73 ₽ от 10 шт.
728,86 ₽ от 100 шт.
705,87 ₽ от 250 шт.
703,96 ₽ от 500 шт.
Chip One Stop Global
На складе 343 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:13 05.03.2021
1 473,46 ₽ от 1 шт.
1 321,30 ₽ от 5 шт.
1 100,10 ₽ от 10 шт.
1 037,38 ₽ от 50 шт.
885,42 ₽ от 100 шт.
865,24 ₽ от 200 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG30N60B3D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
60.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Рассеяние мощности:
208 W (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
25.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • IGBT Single Transistor, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 RoHS Compliant: Yes
  • Trans IGBT Chip N=-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • IGBT,N CH,600V,30A,TO-247
  • DC Collector Current:60A
  • Collector Emitter Voltage Vces:1.9V
  • Power Dissipation Max:208W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • The HGTG30N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49170. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49053.The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.Formerly Developmental Type TA49172.

Документы по ON Semiconductor HGTG30N60B3D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 09.04.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG30N60B3D, сравнение характеристик.

Infineon IRGP20B60PDPBF
Цена от 248,84 ₽ до 802,68 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP20B60PD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 220 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 223,00 ₽ до 3 147,44 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 257,51 ₽ до 3 438,62 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3
Цена от 175,45 ₽ до 3 715,92 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG40N60B3
Цена от 243,90 ₽ до 7 161,47 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 296,45 ₽ до 3 369,29 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGP7NC60HD
Цена от 59,62 ₽ до 227,19 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 14.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 14.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 80.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 7.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF10NC60KD
Цена от 56,84 ₽ до 1 005,24 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF14NC60KD
Цена от 53,81 ₽ до 1 116,16 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 11.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 28.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW30NC60WD
Цена от 158,89 ₽ до 2 440,31 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.