Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDPF5N50NZU

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, UniFETTM II, Ultra FRFETTM, 500 В, 3,9 А, 2,0 Ом, TO-220F

Цена от 50,09 ₽ до 54,44 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDPF5N50NZU на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 3
В наличии до 4065 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 50,09 ₽ до 54,44 ₽
США
На складе 1656 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
54,44 ₽ от 1 шт.
53,35 ₽ от 25 шт.
52,27 ₽ от 100 шт.
51,18 ₽ от 500 шт.
50,09 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 799 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 4065 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FDPF5N50NZU, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Полярность:
N-Channel
RoHS:
Compliant
  • N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, UniFETTM II, Ultra FRFETTM, 500 В, 3,9 А, 2,0 Ом, TO-220F
  • Trans MOSFET N-CH 500V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
  • N CH МОП-транзистор, UNITFET, 500 В, 3,9 А, TO-220
  • N CH МОП-транзистор, UNITFET, 500 В, 3,9 А, TO-220F
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 3,9 А
  • Напряжение истока стока Vds: 500 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 1,7 Ом
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 5 В
  • Полевые МОП-транзисторы UniFETTM II - это высоковольтные полевые МОП-транзисторы Fairchild Semiconductor, основанные на усовершенствованной планарной полосе и технологии DMOS. Это усовершенствованное семейство полевых МОП-транзисторов имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний ESD-диод затвор-исток позволяет MOSFET UniFET II выдерживать импульсное напряжение HBM более 2 кВ. МОП-транзистор UniFET II Ultra FRFETTM имеет намного лучшие характеристики обратного восстановления корпусного диода. Его trr составляет менее 50 нс, а обратная невосприимчивость к dv / dt составляет 20 В / нс, в то время как нормальные планарные полевые МОП-транзисторы имеют более 200 и 4,5 В / нс соответственно. Следовательно, UniFET II Ultra FRFET MOSFET может удалить дополнительный компонент и повысить надежность системы в определенных приложениях, которые требуют улучшения рабочих характеристик основного диода MOSFET. Это семейство устройств подходит для импульсных преобразователей мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), питание телевизоров с плоскими дисплеями (FPD), ATX и балласты электронных ламп.

Документы по ON Semiconductor FDPF5N50NZU, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor FDPF5N50NZU, сравнение характеристик.

Infineon IRFZ44NPBF
Цена от 28,18 ₽ до 801,41 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 35.0 A.
Gate Charge 63.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 49.0 A, 41.0 A.
Входная емкость 1.47 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFZ44N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 83.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 17.5 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 60.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V, 55.0 V.
Vishay IRF840PBF
Цена от 48,48 ₽ до 1 177,72 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 500 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 8.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 125 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 850 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 23.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 500 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 500 V.
Infineon IRFP064NPBF
Цена от 90,10 ₽ до 1 797,94 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 98.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 98.0 A, 110 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFP064N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 150 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 8.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 100 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Infineon IRF1405PBF
Цена от 79,58 ₽ до 1 567,97 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V (min).
Текущий рейтинг 169 A.
Continuous Drain Current (Ids) 169 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF1405.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 330 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 4.60 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 190 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Infineon IRLB3813PBF
Цена от 67,47 ₽ до 1 121,97 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 260 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Part Family IRLB3813.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 230 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Infineon IRF530NPBF
Цена от 26,02 ₽ до 670,39 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V (min).
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 17.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 17.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube, Bulk.
Part Family IRF530N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 70.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 90.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 22.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
Infineon IRFB3607PBF
Цена от 28,94 ₽ до 599,31 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Part Family IRFB3607.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 140 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Infineon IRF7341TRPBF
Цена от 22,74 ₽ до 156,33 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7341.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 3.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Infineon IRFZ48NPBF
Цена от 36,68 ₽ до 1 281,57 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 64.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 64.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFZ48N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 94.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 78.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Infineon IRF7343TRPBF
Цена от 36,36 ₽ до 742,57 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7343.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Infineon IRFB3077PBF
Цена от 103,82 ₽ до 2 153,35 ₽
Текущий рейтинг 210 A.
Continuous Drain Current (Ids) 210 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFB3077.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 370 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 87.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.