Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFB3607PBF

МОП-транзистор, мощность; N-Ch; ВДСС 75В; RDS (ON) 7,34 Миллиом; ID 80A; ТО-220АБ; PD 140W; -55de

Цена от 29,28 ₽ до 596,21 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRFB3607PBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 5
В наличии до 4650 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 41,43 ₽ до 596,21 ₽
Европейский союз
На складе 4650 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:22 05.03.2021
49,92 ₽ от 50 шт.
47,92 ₽ от 100 шт.
46,92 ₽ от 200 шт.
46,17 ₽ от 300 шт.
44,42 ₽ от 400 шт.
43,68 ₽ от 500 шт.
41,43 ₽ от 5000 шт.
Германия
На складе 100 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 06:01 06.03.2021
55,88 ₽ от 50 шт.
52,72 ₽ от 150 шт.
49,51 ₽ от 300 шт.
44,73 ₽ от 750 шт.
Германия
На складе 4090 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 08:11 05.03.2021
80,25 ₽ от 10 шт.
60,22 ₽ от 50 шт.
50,16 ₽ от 200 шт.
48,31 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 25 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
113,88 ₽ от 5 шт.
97,39 ₽ от 25 шт.
Британия
На складе 1896 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
596,21 ₽ от 1 шт.
429,83 ₽ от 10 шт.
300,88 ₽ от 100 шт.
260,67 ₽ от 500 шт.
234,33 ₽ от 1000 шт.
207,98 ₽ от 5000 шт.
Америка 18
В наличии до 5621 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 31,42 ₽ до 261,09 ₽
США
На складе 324 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
34,15 ₽ от 1 шт.
33,46 ₽ от 25 шт.
32,78 ₽ от 100 шт.
32,09 ₽ от 500 шт.
31,42 ₽ от 1000 шт.
Канада
На складе 2000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:49 06.03.2021
Упаковка Tube
40,60 ₽ от 1 шт.
36,02 ₽ от 150 шт.
34,88 ₽ от 500 шт.
33,74 ₽ от 2000 шт.
32,59 ₽ от 7500 шт.
США
На складе 344 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
68,60 ₽ от 25 шт.
50,95 ₽ от 100 шт.
33,46 ₽ от 500 шт.
33,12 ₽ от 1000 шт.
32,79 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 256 шт.
MOQ 27 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
74,49 ₽ от 27 шт.
53,50 ₽ от 100 шт.
34,04 ₽ от 500 шт.
33,69 ₽ от 1000 шт.
33,36 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 344 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
83,71 ₽ от 1 шт.
71,35 ₽ от 10 шт.
52,99 ₽ от 100 шт.
34,80 ₽ от 500 шт.
34,45 ₽ от 1000 шт.
34,10 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 256 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
93,01 ₽ от 1 шт.
77,47 ₽ от 10 шт.
55,65 ₽ от 100 шт.
35,40 ₽ от 500 шт.
35,04 ₽ от 1000 шт.
34,69 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 607 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
91,58 ₽ от 1 шт.
75,72 ₽ от 10 шт.
75,72 ₽ от 50 шт.
54,95 ₽ от 100 шт.
38,98 ₽ от 1000 шт.
34,84 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 5062 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
100,51 ₽ от 1 шт.
87,22 ₽ от 10 шт.
83,18 ₽ от 25 шт.
60,36 ₽ от 100 шт.
50,44 ₽ от 500 шт.
42,93 ₽ от 1000 шт.
38,23 ₽ от 2500 шт.
36,22 ₽ от 5000 шт.
35,37 ₽ от 9000 шт.
США
На складе 1600 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
40,65 ₽ от 450 шт.
37,94 ₽ от 1600 шт.
США
На складе 1146 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
119,63 ₽ от 1 шт.
98,26 ₽ от 10 шт.
68,87 ₽ от 100 шт.
59,70 ₽ от 500 шт.
50,64 ₽ от 1000 шт.
46,34 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 1498 шт.
MOQ 41 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
69,49 ₽ от 41 шт.
США
На складе 100 шт.
MOQ 89 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
77,08 ₽ от 89 шт.
США
На складе 80 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
261,09 ₽ от 1 шт.
195,82 ₽ от 3 шт.
163,18 ₽ от 16 шт.
143,60 ₽ от 54 шт.
США
На складе 1 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 467 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 100 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 150 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 5621 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Азия 9
В наличии до 129807 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 29,28 ₽ до 122,34 ₽
Китай
На складе 1300 шт.
MOQ 2000 шт.
Обновлено 11:45 05.03.2021
29,28 ₽ от 2000 шт.
29,28 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 38294 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
49,90 ₽ от 1 шт.
38,56 ₽ от 10 шт.
35,85 ₽ от 30 шт.
32,21 ₽ от 100 шт.
30,40 ₽ от 500 шт.
30,17 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 129807 шт.
MOQ 145 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
44,69 ₽ от 145 шт.
36,86 ₽ от 350 шт.
35,83 ₽ от 540 шт.
34,68 ₽ от 745 шт.
33,52 ₽ от 960 шт.
30,18 ₽ от 1280 шт.
Китай
На складе 256 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
102,74 ₽ от 1 шт.
85,47 ₽ от 10 шт.
60,15 ₽ от 100 шт.
39,11 ₽ от 500 шт.
38,71 ₽ от 1000 шт.
38,33 ₽ от 2500 шт.
Сингапур
На складе 1146 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
119,72 ₽ от 1 шт.
98,65 ₽ от 10 шт.
69,25 ₽ от 100 шт.
59,96 ₽ от 500 шт.
51,05 ₽ от 1000 шт.
46,16 ₽ от 2000 шт.
Япония
На складе 1498 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:29 05.03.2021
Упаковка Tube
63,34 ₽ от 1 шт.
Япония
На складе 100 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
122,34 ₽ от 1 шт.
100,32 ₽ от 10 шт.
75,43 ₽ от 50 шт.
67,19 ₽ от 100 шт.
67,10 ₽ от 500 шт.
66,92 ₽ от 1000 шт.
66,58 ₽ от 2000 шт.
66,25 ₽ от 4000 шт.
Китай
На складе 14203 шт.
Обновлено 19:17 04.03.2021
Цена по запросу.
Израиль
На складе 7850 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRFB3607PBF, атрибуты и параметры.

Continuous Drain Current (Ids):
80.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Part Family:
IRFB3607
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
140 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • N-Ch
  • VDSS 75V
  • RDS(ON) 7.34 Milliohms
  • ID 80A
  • TO-220AB
  • PD 140W
  • -55de
  • Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
  • 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
  • Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 140 W
  • Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC
  • Battery Operated Drive
  • MOSFET, N, TO-220AB
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 80A
  • Drain Source Voltage Vds:75V
  • On Resistance Rds(on):7.34mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность Pd: 140 Вт
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Id Max:80A
  • Package / Case:TO-220AB
  • Рассеиваемая мощность Pd: 140 Вт
  • Pulse Current Idm:310A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:75V
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по Infineon IRFB3607PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(11 страниц, 20.01.2012)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)

Товары похожие на Infineon IRFB3607PBF, сравнение характеристик.

Infineon IRF8010PBF
Цена от 40,33 ₽ до 1 150,83 ₽
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF8010.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 260 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 130 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
ON Semiconductor FDP5800
Цена от 30,41 ₽ до 2 266,99 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 60.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 14.0 A.
Gate Charge 145 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Входная емкость 9.16 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 242 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 6.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
ON Semiconductor FDP038AN06A0
Цена от 84,41 ₽ до 1 733,17 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Gate Charge 96.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Входная емкость 6.40 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.80 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 144 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
STMicroelectronics STP80NF55-08
Цена от 40,07 ₽ до 1 719,31 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 8.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 85.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
STMicroelectronics STP80NF55-06
Цена от 102,21 ₽ до 1 816,37 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 6.50 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 190 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
STMicroelectronics STP75NF75
Цена от 37,37 ₽ до 1 351,88 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 9.50 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
STMicroelectronics STP80NF10
Цена от 84,76 ₽ до 2 169,93 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 15.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 145 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
ON Semiconductor FDP050AN06A0
Цена от 106,47 ₽ до 1 393,47 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Gate Charge 61.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Входная емкость 3.90 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 175 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 245 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 5.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 160 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
STMicroelectronics STP80NF12
Цена от 130,08 ₽ до 1 989,68 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 120 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 18.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 120 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 120 V.
STMicroelectronics STP80NF06
Цена от 65,85 ₽ до 2 086,74 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -60.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 10.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 85.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.