Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFB3607PBF

МОП-транзистор, мощность; N-Ch; ВДСС 75В; RDS (ON) 7,34 Миллиом; ID 80A; ТО-220АБ; PD 140W; -55de

Цена от 29,28 ₽ до 596,21 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRFB3607PBF на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена

Технические характеристики Infineon IRFB3607PBF, атрибуты и параметры.

Continuous Drain Current (Ids):
80.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Part Family:
IRFB3607
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
140 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • N-Ch
  • VDSS 75V
  • RDS(ON) 7.34 Milliohms
  • ID 80A
  • TO-220AB
  • PD 140W
  • -55de
  • Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
  • 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
  • Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 140 W
  • Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC
  • Battery Operated Drive
  • MOSFET, N, TO-220AB
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 80A
  • Drain Source Voltage Vds:75V
  • On Resistance Rds(on):7.34mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность Pd: 140 Вт
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Id Max:80A
  • Package / Case:TO-220AB
  • Рассеиваемая мощность Pd: 140 Вт
  • Pulse Current Idm:310A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:75V
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по Infineon IRFB3607PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(, 20.01.2012)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(, 24.01.2014)

Товары похожие на Infineon IRFB3607PBF, сравнение характеристик.

Infineon IRF8010PBF
Цена от 40,33 ₽ до 1 150,83 ₽
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF8010.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 260 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 130 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
ON Semiconductor FDP5800
Цена от 30,41 ₽ до 2 266,99 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 60.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 14.0 A.
Gate Charge 145 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Входная емкость 9.16 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 242 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 6.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
ON Semiconductor FDP038AN06A0
Цена от 84,41 ₽ до 1 733,17 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Gate Charge 96.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Входная емкость 6.40 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.80 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 144 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
STMicroelectronics STP80NF55-08
Цена от 40,07 ₽ до 1 719,31 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 8.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 85.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
STMicroelectronics STP80NF55-06
Цена от 102,21 ₽ до 1 816,37 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 6.50 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 190 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
STMicroelectronics STP75NF75
Цена от 37,37 ₽ до 1 351,88 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 9.50 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
STMicroelectronics STP80NF10
Цена от 84,76 ₽ до 2 169,93 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 15.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 145 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
ON Semiconductor FDP050AN06A0
Цена от 106,47 ₽ до 1 393,47 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Gate Charge 61.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Входная емкость 3.90 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 175 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 245 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 5.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 160 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
STMicroelectronics STP80NF12
Цена от 130,08 ₽ до 1 989,68 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 120 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 18.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 120 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 120 V.
STMicroelectronics STP80NF06
Цена от 65,85 ₽ до 2 086,74 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -60.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 10.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 85.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.